2SK1817 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于高频率开关应用中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和高耐压能力,适用于DC-DC转换器、电源管理、马达控制、开关电源(SMPS)等领域。该MOSFET采用TO-220封装,便于散热和安装。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):500V
栅源电压(Vgs):±30V
漏极电流(Id):8A(连续)
导通电阻(Rds(on)):最大1.2Ω(在Vgs=10V时)
功耗(Pd):50W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220
2SK1817 的主要特性之一是其较高的耐压能力,漏源电压可达500V,使其适用于高电压应用。该器件的导通电阻较低,在10V栅压下最大为1.2Ω,这有助于降低导通损耗,提高能效。此外,2SK1817 的最大漏极电流为8A,适合中高功率的开关控制。其TO-220封装结构便于散热,有助于提高器件在高功率下的稳定性。
该MOSFET具有快速开关特性,适用于高频开关电源和DC-DC转换器。由于其栅源电压范围为±30V,因此在驱动电路设计中需注意避免过高的栅极电压造成器件损坏。此外,2SK1817 的热稳定性较好,能在高温环境下维持正常工作,适合用于对可靠性要求较高的工业和电源应用。
2SK1817 在设计上优化了开关损耗和导通损耗之间的平衡,使其在高效率电源转换系统中表现出色。同时,该器件的封装设计允许其通过散热片进一步增强散热能力,适用于长时间高负载运行的场景。
2SK1817 主要用于各种电源转换系统中,如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动器以及各种开关电源(SMPS)应用。由于其高耐压、中等电流能力和良好的导通特性,它也广泛用于照明系统、电池管理系统、工业自动化设备和电源管理模块中。
在马达控制应用中,2SK1817 可作为H桥结构中的开关元件,实现对直流马达或步进马达的高效控制。在电池充电器中,它可作为主开关器件用于调节输出电压和电流。此外,该器件还适用于太阳能逆变器、UPS系统、电焊设备等对功率器件性能要求较高的场景。
2SK2143, 2SK1318, 2SK1705, IRFBC40, 2SK1176