时间：2025/9/7 14:42:29
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2SK1764KYTR是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高频开关和功率放大电路中。该器件采用先进的沟槽式技术，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种高频功率应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约6.5mΩ（典型值）
功率耗散（PD）：150W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220AB
2SK1764KYTR MOSFET具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统效率。其次，该器件采用先进的沟槽式结构设计，优化了载流子流动路径，提升了开关性能，适用于高频应用。此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，能够在恶劣的工作环境中保持可靠运行。其TO-220AB封装形式不仅便于安装和散热管理，也增强了器件的机械强度和长期稳定性。最后，2SK1764KYTR的栅极驱动特性优化，能够与标准逻辑电平兼容，便于与各种控制电路集成。
该器件还具备良好的短路耐受能力和抗过载能力，在突发负载变化或系统异常情况下仍能保持稳定工作。其封装设计也考虑了散热效率，能够有效降低工作温度，延长使用寿命。这些特性使得2SK1764KYTR在工业电源、电动工具、电动汽车系统和高效率DC-DC转换器中表现优异。
2SK1764KYTR MOSFET适用于多种高功率和高频开关应用。常见应用包括DC-DC升压/降压转换器、同步整流电路、电机驱动器、逆变器、UPS系统、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该器件也可用于高频电源变换器、LED驱动器以及各类高效率电源管理系统中，提供出色的开关性能和稳定性。
SiHF60N60E, IRF1404, FDP6030L, IPP60R1K4P7S
