型号：2SK1726-TD
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压V_DSS：500V
　　栅源电压V_GS：±30V
　　连续漏极电流I_D：5.0A（@Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流I_DM：20A
　　功耗P_D：50W
　　导通电阻R_DS(on)：≤0.85Ω（@V_GS=10V）
　　阈值电压V_GS(th)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容Ciss：900pF（@V_DS=25V）
　　输出电容Coss：150pF（@V_DS=25V）
　　反向传输电容Crss：35pF（@V_DS=25V）
　　栅极电荷Qg：35nC（@V_DS=400V, I_D=2.5A）
　　体二极管反向恢复时间Trr：约45ns
　　工作结温范围Tj：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOP-8 或类似表面贴装封装

2SK1726-TD具备多项优异的电气与物理特性，使其在中高压功率开关应用中表现出色。首先，其高达500V的漏源击穿电压使其适用于多种离线式开关电源设计，如AC-DC适配器和LED驱动电源，在电网波动或瞬态过压情况下仍能保持稳定运行。其次，该器件的导通电阻R_DS(on)在V_GS=10V时典型值低于0.85Ω，有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统能效，尤其在持续负载工况下优势明显。此外，低栅极电荷（Qg=35nC）和低输出电容（Coss=150pF）显著减少了开关过程中的能量损耗，使得该MOSFET非常适合高频PWM控制应用，如DC-DC变换器和LLC谐振转换器。
　　该器件采用先进的平面硅栅技术，提高了制造一致性和长期可靠性，同时优化了跨导（gm）和开关速度之间的平衡，避免了因过快开关导致的EMI问题。内置的快速恢复体二极管（Trr≈45ns）可在同步整流或感性负载关断时提供有效的续流路径，减少电压尖峰对器件的冲击。2SK1726-TD还具备良好的热稳定性，最大功耗可达50W，并支持宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C），适应严苛的工业环境。SOP-8等小型化封装不仅便于自动化贴片生产，还通过优化引脚布局降低了寄生电感，进一步提升高频性能。综合来看，该MOSFET在效率、可靠性和封装尺寸之间实现了良好平衡，是现代高效电源设计的理想选择之一。

2SK1726-TD主要应用于各类需要中高电压、中等电流开关能力的电力电子系统中。典型应用包括反激式（Flyback）和正激式（Forward）开关电源，尤其适用于200W以下的AC-DC适配器、充电器和工业电源模块。由于其高耐压和低开关损耗特性，该器件也常用于LED恒流驱动电源中，作为主开关管实现高效的能量转换。在DC-DC升压或降压转换器中，2SK1726-TD可用于硬开关或软开关拓扑结构，配合PWM控制器实现精确的电压调节。此外，该MOSFET还适用于电子镇流器、冷阴极荧光灯（CCFL）逆变器以及小型电机驱动电路，在这些应用中承担高频开关任务。
　　在工业控制领域，2SK1726-TD可用于PLC输出模块或继电器驱动电路中的功率切换元件。其表面贴装封装形式使其适合紧凑型、高密度PCB设计，广泛用于路由器、机顶盒、监控摄像头等消费类电子产品内部的辅助电源或主电源部分。同时，该器件也可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，或作为热插拔电路中的保护开关。考虑到其良好的抗雪崩能力和温度稳定性，2SK1726-TD在户外设备或高温环境中依然能够保持可靠的性能表现。总之，凡涉及500V以内电压切换、要求高效率与小型化设计的场景，2SK1726-TD均是一个值得考虑的功率开关解决方案。

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