型号：BFT45
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压VDS：500 V
　　连续漏极电流ID：7 A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流IDM：28 A
　　栅源电压VGS：±30 V
　　导通电阻RDS(on)：0.85 Ω（最大值，VGS=10V）
　　阈值电压VGS(th)：3.0 ~ 5.0 V
　　输入电容Ciss：1100 pF（典型值，VDS=25V）
　　输出电容Coss：350 pF（典型值）
　　反向传输电容Crss：50 pF（典型值）
　　栅极电荷Qg：45 nC（典型值，VDS=400V）
　　上升时间tr：60 ns
　　下降时间tf：30 ns
　　工作结温范围Tj：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：TO-220

BFT45具备优异的开关性能与导通特性，这得益于其采用的高性能沟槽式MOSFET工艺。这种工艺不仅显著降低了单位面积上的导通电阻，还在高频操作条件下减少了开关损耗，使得器件在硬开关拓扑如反激式、正激式或LLC谐振变换器中表现尤为出色。器件的低栅极电荷（Qg）和低输入电容有助于减少驱动电路的能量消耗，同时加快开关速度，提升系统效率。
　　另一个重要特性是其高耐压能力，标称漏源击穿电压高达500V，使其适用于通用AC-DC电源适配器、离线式开关电源（SMPS）以及其他需要承受高压瞬变的场合。结合其良好的雪崩能量等级，BFT45能够在突发过压事件中保持稳定运行，避免因电压尖峰导致的器件损坏，提升了系统的安全性和长期可靠性。
　　热稳定性方面，BFT45具有较低的热阻（Rth(j-c)），配合TO-220封装良好的散热路径，可在较高功率密度环境下持续工作。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）也使其适用于严苛的工业与车载环境。此外，该器件的栅极氧化层经过优化处理，具备较高的抗静电（ESD）能力，并支持稳定的多器件并联运行，避免了电流不均问题。
　　在EMI控制方面，BFT45通过优化内部芯片布局和封装寄生参数，有效抑制了高频噪声的产生。这对于满足电磁兼容性（EMC）标准至关重要，尤其是在医疗设备、通信电源等对噪声敏感的应用中。综合来看，BFT45凭借其高性能、高可靠性和良好的热管理能力，成为中等功率开关电源设计中的优选器件之一。

BFT45主要应用于各类中等功率的开关电源系统，包括但不限于通用交流适配器、充电器、LED驱动电源以及工业用DC-DC转换模块。在这些应用中，它通常作为主开关管使用，负责将输入的高压直流或整流后的交流电压进行高频斩波，以实现高效的能量传递与电压变换。
　　在反激式转换器（Flyback Converter）拓扑中，BFT45因其高耐压和快速开关能力而被广泛采用，尤其适合输入电压范围较宽（如85–265V AC）的全球通用输入电源设计。其低导通电阻有助于降低导通期间的I2R损耗，提高轻载与满载条件下的整体能效，满足能源之星或CoC Tier 2等能效规范要求。
　　此外，该器件也常用于电机驱动电路，特别是在小型家电、电动工具和风扇控制中作为功率开关元件。在此类应用中，BFT45能够承受反复的启停冲击和感性负载产生的反向电动势，展现出良好的耐用性。
　　在工业自动化领域，BFT45可用于PLC输出模块、继电器驱动或隔离电源单元中，提供稳定可靠的功率切换功能。由于其具备较强的抗干扰能力和温度适应性，即使在恶劣的电磁环境或高温车间条件下也能正常运行。
　　在可再生能源系统中，例如小型太阳能逆变器或储能电源，BFT45可用于DC-AC逆变前级的升压（Boost）或隔离变换环节，帮助实现高效能量转换。综上所述，BFT45凭借其全面的技术优势，已成为多种电力电子拓扑结构中的关键组件。

SPW45N50C3,IPB045N50C3,STP7NK50ZFP,2SK3569