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2SK1724 发布时间 时间:2025/8/2 6:43:32 查看 阅读:31

2SK1724是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件由东芝公司制造,具有低导通电阻、高功率效率和良好的热稳定性,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种高功率电子设备。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):10A(在25°C)
  功耗(Pd):60W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  存储温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220
  导通电阻(Rds(on)):0.38Ω(最大值)
  栅极电荷(Qg):24nC
  输入电容(Ciss):1200pF

特性

2SK1724是一款性能优异的功率MOSFET,具有较低的导通电阻(Rds(on)),在高电流应用中能够有效降低功率损耗,提高系统效率。其高耐压能力(60V)使其适用于多种中高压电源系统。该器件的封装形式为TO-220,具有良好的散热性能,能够在较高功率下稳定工作。
  此外,2SK1724的栅极驱动电压范围较宽(±20V),使得其兼容多种驱动电路,便于设计和应用。其栅极电荷(Qg)为24nC,属于中等水平,适用于中频开关应用。输入电容较小(1200pF),有助于减少开关过程中的能量损耗,提升整体能效。
  该器件还具备良好的抗过载和瞬态电压能力,能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。其热稳定性优异,能够在高温条件下保持性能稳定,延长使用寿命。因此,2SK1724非常适合用于高可靠性要求的电源系统和功率控制电路。

应用

2SK1724广泛应用于各类电源管理与功率控制电路中。典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED驱动电路、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、逆变器以及工业自动化控制系统等。此外,该器件也常用于汽车电子、通信设备、消费类电子产品以及工业设备中的功率开关和负载控制电路。

替代型号

2SK2545, 2SK1633, IRFZ44N, FDP6N60

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