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2SK170-V 发布时间 时间:2025/8/28 21:34:10 查看 阅读:9

2SK170-V 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效率和高性能的电子电路中。该器件具有良好的导通电阻和快速开关特性,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备等应用。2SK170-V 采用小型SOT-23封装,适合在空间受限的电路设计中使用。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):100V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):100mA
  导通电阻(Rds(on)):5Ω(最大值)
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOT-23

特性

2SK170-V 的核心特性之一是其优异的导通性能,在低电压条件下仍能保持较低的导通电阻,有助于减少能量损耗并提高整体系统效率。该MOSFET具备较高的栅极电压容限(±20V),使其在各种工作条件下具备更好的稳定性和耐用性。
  此外,2SK170-V 的SOT-23封装形式不仅体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,还具备良好的热稳定性,能够在较高温度下正常运行。这种封装还支持表面贴装工艺,适合大规模自动化生产。
  该器件的开关特性也非常出色,具有快速的上升和下降时间,从而减少了开关损耗,并适用于高频开关应用。其较低的输入电容和输出电容也有助于提高开关速度,进一步优化电路性能。
  在可靠性方面,2SK170-V 经过了严格的测试和验证,符合工业标准,适用于消费类电子、工业控制、通信设备以及便携式电子产品等各类应用场景。

应用

2SK170-V 主要应用于低功率DC-DC转换器、负载开关、LED驱动电路、电池管理系统、电源管理模块以及各类小型电子设备中的开关控制电路。由于其小巧的封装和优良的电气性能,它也常被用于需要高效率和空间限制严格的设计中。

替代型号

2SK2313, 2N7002, BSS138

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