2SK170-V 时间：2025/8/28 21:34:10 阅读：25

2SK170-V 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和高性能的电子电路中。该器件具有良好的导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备等应用。2SK170-V 采用小型SOT-23封装，适合在空间受限的电路设计中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100mA
　　导通电阻（Rds(on)）：5Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

2SK170-V 的核心特性之一是其优异的导通性能，在低电压条件下仍能保持较低的导通电阻，有助于减少能量损耗并提高整体系统效率。该MOSFET具备较高的栅极电压容限（±20V），使其在各种工作条件下具备更好的稳定性和耐用性。
　　此外，2SK170-V 的SOT-23封装形式不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，还具备良好的热稳定性，能够在较高温度下正常运行。这种封装还支持表面贴装工艺，适合大规模自动化生产。
　　该器件的开关特性也非常出色，具有快速的上升和下降时间，从而减少了开关损耗，并适用于高频开关应用。其较低的输入电容和输出电容也有助于提高开关速度，进一步优化电路性能。
　　在可靠性方面，2SK170-V 经过了严格的测试和验证，符合工业标准，适用于消费类电子、工业控制、通信设备以及便携式电子产品等各类应用场景。