2SK1699 时间：2025/12/28 3:50:13 阅读：11

2SK1699是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等高效率功率转换场景。该器件采用先进的沟槽式栅极结构制造工艺，具备低导通电阻和优异的开关特性，能够有效降低功率损耗并提高系统整体能效。2SK1699特别适用于需要高电流承载能力和快速响应能力的应用环境，在工业控制、消费类电子产品及通信设备中均有广泛应用。其封装形式为TO-220或TO-220F，具有良好的热稳定性和机械强度，便于安装在散热片上以实现高效散热。此外，该MOSFET还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压情况下的可靠性与耐用性。作为一款成熟的功率器件，2SK1699凭借其稳定的性能表现和长期供货保障，成为许多电源设计工程师的首选之一。

参数

型号：2SK1699
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：600 V
　　连续漏极电流ID：7 A
　　脉冲漏极电流IDM：28 A
　　栅源电压VGS：±30 V
　　导通电阻RDS(on)：0.42 Ω（最大值，@ ID = 3.5A, VGS = 10V）
　　阈值电压VGS(th)：3.0 ~ 5.0 V (@ ID = 1mA)
　　输入电容Ciss：1100 pF (@ VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz)
　　输出电容Coss：280 pF
　　反向传输电容Crss：30 pF
　　栅极电荷Qg：50 nC (@ VDS = 480V, ID = 7A)
　　功耗PD：100 W
　　工作结温范围Tj：-55 ~ +150 °C
　　存储温度范围Tstg：-55 ~ +150 °C
　　封装类型：TO-220/TO-220F

特性

2SK1699具备出色的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻RDS(on)，典型值仅为0.42Ω，这显著降低了在导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体效率。由于采用了优化的沟槽型MOSFET工艺，该器件在保持高击穿电压的同时实现了更低的导通电阻，从而能够在600V高压环境下安全运行，并支持高达7A的连续漏极电流。这种高电流处理能力使其非常适合用于大功率开关电源设计，如AC-DC适配器、LED驱动电源和逆变器等。
　　另一个重要特性是其良好的开关速度和较低的栅极电荷（Qg = 50nC），这意味着在高频开关应用中可以减少驱动损耗和开关过渡时间，进一步提升系统的工作频率和动态响应能力。同时，输入电容（Ciss）、输出电容（Coss）和反向传输电容（Crss）均经过优化，有助于减少电磁干扰（EMI）并改善电路稳定性。此外，2SK1699具有较高的栅源电压容限（±30V），增强了对异常驱动信号的抗扰能力，提升了系统可靠性。
　　在可靠性方面，该器件通过了严格的雪崩能量测试，具备一定的非钳位感性开关（UIS）耐受能力，可在突发断路或负载突变时防止器件损坏。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种严苛环境条件下的长期运行需求。TO-220封装不仅提供了优良的散热路径，而且兼容标准安装方式，方便集成到现有PCB布局中。综合来看，2SK1699是一款兼顾高性能、高可靠性和易用性的功率MOSFET，适合多种工业级和商业级应用场合。

应用

2SK1699主要应用于各类中高功率开关电源系统中，包括但不限于AC-DC电源适配器、离线式反激变换器、正激变换器以及LLC谐振转换器等拓扑结构。其600V的高耐压能力使其能够直接连接整流后的市电电压（约300–400VDC），因此常被用作主开关管或有源钳位开关，在节能灯电子镇流器、LED照明驱动电源中发挥关键作用。此外，由于其具备良好的电流驱动能力和热稳定性，也被广泛用于DC-DC升压或降压转换器模块中，特别是在工业自动化设备、通信基站电源和嵌入式电源系统中表现优异。
　　在电机控制领域，2SK1699可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低端或高端开关元件使用，实现精确的速度与方向控制。其快速开关特性和低导通损耗有助于减少发热，提高控制精度和系统能效。同时，该器件还可应用于逆变器电路，如太阳能微逆变器、不间断电源（UPS）和小型变频器中，承担能量转换和调制功能。
　　除此之外，2SK1699也适用于各种需要高压侧开关的场合，例如电焊机、感应加热设备、高压泵驱动系统等。在这些应用中，器件必须承受频繁的电压冲击和高温环境，而2SK1699凭借其坚固的结构设计和优异的雪崩耐量表现出了较强的鲁棒性。总体而言，这款MOSFET因其高性价比和成熟的技术方案，已成为众多电源设计中的主流选择之一，尤其适合那些对成本敏感但又要求稳定性能的应用场景。