型号：AM27C204B-120DI
　　制造商：AMD
　　存储容量：2 Mbit (256K × 8)
　　封装类型：DIP-28
　　电源电压：4.5V ~ 5.5V
　　访问时间：120 ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　编程电压：VPP = 12.5V ± 0.5V
　　输入逻辑电平：TTL兼容
　　输出逻辑电平：TTL兼容
　　封装形式：Ceramic DIP with Window (Windowed Ceramic DIP)
　　编程脉冲宽度：100 μs typical
　　待机电流：≤ 35 mA
　　运行电流：≤ 75 mA

AM27C204B-120DI具备多项关键特性，使其在特定应用场景中表现出色。首先，该器件采用高性能CMOS工艺制造，结合了低功耗与高速度的优势，相比传统的NMOS EPROM，其静态功耗显著降低，有助于提升系统能效，尤其适合对功耗敏感但又需保留非易失性存储功能的设计。其次，其256K × 8位的组织结构提供了充足的程序或数据存储空间，适用于中等复杂度的固件存储任务，如工业控制器、测试设备和通信模块中的引导代码存储。该芯片支持标准的并行接口协议，具备独立的地址线（A0-A17）、数据线（I/O0-I/O7）以及控制信号（如CE、OE、PGM），便于直接连接到微处理器的数据总线，无需额外的接口逻辑电路。
　　另一个重要特性是其一次性可编程（OTP）模式。与可多次擦写的EPROM不同，AM27C204B-120DI允许用户仅编程一次，之后内容不可更改。这一特性虽然限制了灵活性，但却有效防止了未经授权的修改或复制，增强了产品的安全性与版权保护能力，特别适用于批量生产中需要固化程序且不允许后期变更的场合。此外，OTP版本通常比带窗口的可擦写版本成本更低，有利于降低整体系统成本。
　　该器件具备良好的环境适应性和长期数据保持能力。在正常存储条件下，编程后数据可稳定保存超过10年。其陶瓷DIP封装不仅提供优良的散热性能，还具备抗辐射和耐高温特性，适用于较为严苛的工业或军事环境。此外，封装上的石英窗口允许通过紫外线（波长约为253.7nm）照射进行批量擦除，方便开发阶段的反复调试——尽管OTP版本通常不推荐擦除使用，但物理结构上仍保留此能力以供特殊需求。最后，AM27C204B-120DI符合工业标准引脚排列，与多种主流EPROM器件引脚兼容，简化了系统设计与替换过程。

AM27C204B-120DI主要应用于需要可靠、非易失性程序存储的电子系统中。典型应用包括工业自动化控制系统，例如PLC（可编程逻辑控制器）中的固件存储，确保在断电后仍能保留关键控制程序。在通信设备中，该芯片可用于存储初始化代码、协议栈或配置参数，如调制解调器、路由器或交换机的启动引导程序。此外，在航空航天与国防领域，由于其高可靠性与抗干扰能力，常被用于雷达系统、导航设备或飞行控制单元中的只读指令存储。
　　在消费类电子产品的发展早期，AM27C204B也曾广泛用于打印机、复印机、POS终端等设备中，作为主控MCU的外部程序存储器。在教育与科研领域，该芯片被用于实验平台、单片机开发板或FPGA配套系统中，帮助学生理解存储器接口与时序控制机制。此外，在复古计算和电子修复市场中，AM27C204B-120DI用于替换老旧计算机（如IBM PC兼容机、工控机）中损坏的EPROM芯片，恢复原始功能。
　　由于其OTP特性，该器件也适用于小批量或中等规模的产品生产，尤其是那些不需要现场升级固件、但又希望避免定制掩膜ROM高昂开销的场景。在医疗器械领域，某些固定算法或校准数据也可存储于此类器件中，以满足法规对数据完整性和不可篡改性的要求。尽管当前Flash存储器已成为主流，但在无法使用Flash或需要绝对写保护的场合，AM27C204B-120DI依然具有不可替代的价值。

M27C204B-12F1R
　　MCM27C2049BCZ-12X
　　NM27C2048VI-12