2SK1682 时间：2025/8/18 17:32:36 阅读：25

2SK1682 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频开关和电源管理应用。该器件具有低导通电阻、高电流能力和良好的热稳定性，适用于DC-DC转换器、开关电源、电机控制以及各种功率电子设备中。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（ID）：30A（最大值）
　　漏-源电压（VDS）：60V
　　栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：60mΩ（最大值，在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-220AB等

特性

2SK1682 的主要特性包括低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其60V的漏-源电压使其适用于多种中低电压功率转换应用。
　　该MOSFET具有高电流承载能力，可支持高达30A的连续漏极电流，适合高功率密度设计。
　　此外，2SK1682 采用热稳定性良好的封装技术，能够有效散热，从而提高器件在高负载条件下的可靠性。
　　它的栅极驱动电压范围较宽（±20V），便于与不同类型的驱动电路兼容。
　　由于其高性能和紧凑的封装形式，2SK1682 被广泛应用于电源适配器、电池充电器、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景中。

应用

2SK1682 常用于各种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、逆变器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业控制设备。
　　它在汽车电子中也有所应用，如车载充电器、电动助力转向系统等。
　　此外，2SK1682 还可用于LED照明驱动电路、UPS不间断电源以及家用电器中的功率控制模块。