2SK1636S 时间：2025/9/7 15:26:15 阅读：10

2SK1636S 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高效率电源转换和功率控制应用。这款MOSFET具备高耐压和低导通电阻的特性，适用于各种高功率设备，如开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动电路。2SK1636S 采用小型表面贴装封装，适用于高密度电路设计，同时具备良好的热性能和稳定性。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：150V
　　最大漏极电流（Id）：12A（连续）
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω（最大值）
　　漏极功耗（Pd）：30W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP（表面贴装）

特性

2SK1636S MOSFET具有多项出色的电气和热性能。首先，其低导通电阻（Rds(on)）使得在高电流条件下导通损耗更低，从而提高整体系统的效率。其次，该器件具有较高的最大漏极电流能力，适用于中高功率应用。此外，2SK1636S采用了东芝先进的沟槽栅极技术，提高了开关性能和热稳定性。
　　在封装方面，2SK1636S采用紧凑的SOP封装，有利于在高密度PCB设计中节省空间，同时也便于自动化生产。该封装具备良好的散热性能，能够在高功率运行时有效散热，提高器件的可靠性和寿命。
　　该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，适合在严苛的工业环境中使用。此外，其栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，方便与各类控制器和驱动IC配合使用。

应用

2SK1636S广泛应用于多种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、照明控制电路以及各种工业自动化设备。由于其具备高效率和良好的热管理性能，特别适合用于需要高功率密度和高效能转换的系统中。
　　在电源管理方面，2SK1636S可以作为主开关管使用于Boost、Buck等拓扑结构中，提供稳定的电压转换和高效的功率输出。在电机控制和驱动应用中，该MOSFET能够承受较高的电流和频繁的开关操作，确保系统的稳定性和可靠性。
　　此外，2SK1636S也常用于高功率LED照明系统中，作为调光或开关控制器件，实现高效能的光源管理。