时间：2025/9/7 12:31:31
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2SK1625S 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛应用于高效率的功率转换设备中，例如电源适配器、DC-DC转换器、马达控制电路以及各种开关电源系统。该器件采用小型化的SOT-23封装形式，具有低导通电阻、快速开关特性以及良好的热稳定性，适用于需要高频开关操作和高效能表现的电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：0.15A
导通电阻（RDS(on)）：约3.5Ω（典型值）
最大功率耗散（PD）：0.3W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23
2SK1625S MOSFET具备多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在导通状态下功耗较低，有助于提高系统的整体效率。其次，该器件具有较高的栅极绝缘性能，栅源电压范围可达±20V，提高了抗过压能力，使设计更具灵活性。此外，2SK1625S采用了先进的沟槽式MOSFET结构，优化了开关性能，减少了开关损耗，使其适用于高频开关应用。
该MOSFET的SOT-23封装形式体积小巧，便于在空间受限的电路板上布局，同时具备良好的热管理能力，能够在较高温度环境下稳定工作。此外，其高可靠性设计使其能够在工业级温度范围内稳定运行，适合用于要求严苛的工业控制与消费电子产品。
由于其低驱动电流需求，2SK1625S可与多种类型的控制IC直接配合使用，无需额外的驱动电路，简化了电路设计并降低了整体成本。同时，该器件具备较强的抗静电能力和过热保护能力，提高了系统稳定性。
2SK1625S 主要用于低功率的开关应用，如小型电源转换器、电池供电设备中的负载开关、LED驱动电路、DC-DC升压/降压模块以及逻辑控制电路中的高侧或低侧开关。此外，它也常用于马达驱动电路、继电器替代电路、传感器信号切换电路以及各种便携式电子设备中的电源管理模块。
在工业自动化控制领域，2SK1625S可用于小型PLC的输出模块、继电器驱动电路以及传感器供电控制。在消费电子领域，如智能手机、智能手表、无线耳机等产品中，该器件可用于电源管理子系统或充电控制电路，以实现节能和高效能的设计目标。
2SK2313S, 2SK1626S, 2N7002, FDV301N
