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2SK1625S 发布时间 时间:2025/9/7 12:31:31 查看 阅读:15

2SK1625S 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管,广泛应用于高效率的功率转换设备中,例如电源适配器、DC-DC转换器、马达控制电路以及各种开关电源系统。该器件采用小型化的SOT-23封装形式,具有低导通电阻、快速开关特性以及良好的热稳定性,适用于需要高频开关操作和高效能表现的电子系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  最大连续漏极电流(ID):0.15A
  导通电阻(RDS(on)):约3.5Ω(典型值)
  最大功率耗散(PD):0.3W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT-23

特性

2SK1625S MOSFET具备多项优良特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))确保在导通状态下功耗较低,有助于提高系统的整体效率。其次,该器件具有较高的栅极绝缘性能,栅源电压范围可达±20V,提高了抗过压能力,使设计更具灵活性。此外,2SK1625S采用了先进的沟槽式MOSFET结构,优化了开关性能,减少了开关损耗,使其适用于高频开关应用。
  该MOSFET的SOT-23封装形式体积小巧,便于在空间受限的电路板上布局,同时具备良好的热管理能力,能够在较高温度环境下稳定工作。此外,其高可靠性设计使其能够在工业级温度范围内稳定运行,适合用于要求严苛的工业控制与消费电子产品。
  由于其低驱动电流需求,2SK1625S可与多种类型的控制IC直接配合使用,无需额外的驱动电路,简化了电路设计并降低了整体成本。同时,该器件具备较强的抗静电能力和过热保护能力,提高了系统稳定性。

应用

2SK1625S 主要用于低功率的开关应用,如小型电源转换器、电池供电设备中的负载开关、LED驱动电路、DC-DC升压/降压模块以及逻辑控制电路中的高侧或低侧开关。此外,它也常用于马达驱动电路、继电器替代电路、传感器信号切换电路以及各种便携式电子设备中的电源管理模块。
  在工业自动化控制领域,2SK1625S可用于小型PLC的输出模块、继电器驱动电路以及传感器供电控制。在消费电子领域,如智能手机、智能手表、无线耳机等产品中,该器件可用于电源管理子系统或充电控制电路,以实现节能和高效能的设计目标。

替代型号

2SK2313S, 2SK1626S, 2N7002, FDV301N

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