2SK1624S 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件设计用于高频率开关应用,具有低导通电阻和高耐压能力,适用于如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)和电机控制等应用场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):150V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):8A
导通电阻(RDS(ON)):0.25Ω(最大值)
功率耗散(PD):40W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-220SIS
2SK1624S 具备多项优良特性,使其在功率电子应用中表现出色。
首先,其高耐压特性(150V VDS)允许该MOSFET在较高电压环境下稳定运行,适用于多种电源拓扑结构,如升压(Boost)、降压(Buck)转换器等。
其次,该器件的低导通电阻(RDS(ON))为0.25Ω,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。同时,较低的RDS(ON)还可以减少发热,提高器件在高电流条件下的稳定性。
此外,2SK1624S 提供高达8A的连续漏极电流能力,使其适用于中等功率的开关电源和电机驱动应用。器件的栅极驱动电压为±20V,具备良好的栅极保护能力,防止过电压损坏。
该MOSFET采用TO-220SIS封装形式,具有良好的散热性能,适用于需要高可靠性和高功率密度的电路设计。
最后,该器件的高功率耗散能力(40W)使其在高负载条件下仍能保持良好的热稳定性,延长使用寿命并提高系统可靠性。
2SK1624S 广泛应用于各类功率电子设备中,尤其是在需要高效能、高频率开关操作的场合。
常见应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED驱动电源、电池充电器以及电机控制电路。在这些应用中,该MOSFET作为主开关器件,负责高效地切换电流路径,从而实现能量的转换与调节。
此外,该器件也可用于逆变器电路、UPS系统、太阳能逆变器和工业自动化控制系统中,发挥关键的功率控制作用。
由于其封装形式适合插件安装,因此在需要散热性能良好的PCB设计中也有广泛应用。
2SK1624, 2SK1630, 2SK2140, IRF540N