2SK1624S 时间：2025/9/7 13:28:46 阅读：30

2SK1624S 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件设计用于高频率开关应用，具有低导通电阻和高耐压能力，适用于如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电机控制等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：150V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：8A
　　导通电阻（RDS(ON)）：0.25Ω（最大值）
　　功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220SIS

特性

2SK1624S 具备多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。
　　首先，其高耐压特性（150V VDS）允许该MOSFET在较高电压环境下稳定运行，适用于多种电源拓扑结构，如升压（Boost）、降压（Buck）转换器等。
　　其次，该器件的低导通电阻（RDS(ON)）为0.25Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。同时，较低的RDS(ON)还可以减少发热，提高器件在高电流条件下的稳定性。
　　此外，2SK1624S 提供高达8A的连续漏极电流能力，使其适用于中等功率的开关电源和电机驱动应用。器件的栅极驱动电压为±20V，具备良好的栅极保护能力，防止过电压损坏。
　　该MOSFET采用TO-220SIS封装形式，具有良好的散热性能，适用于需要高可靠性和高功率密度的电路设计。
　　最后，该器件的高功率耗散能力（40W）使其在高负载条件下仍能保持良好的热稳定性，延长使用寿命并提高系统可靠性。

应用

2SK1624S 广泛应用于各类功率电子设备中，尤其是在需要高效能、高频率开关操作的场合。
　　常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动电源、电池充电器以及电机控制电路。在这些应用中，该MOSFET作为主开关器件，负责高效地切换电流路径，从而实现能量的转换与调节。
　　此外，该器件也可用于逆变器电路、UPS系统、太阳能逆变器和工业自动化控制系统中，发挥关键的功率控制作用。
　　由于其封装形式适合插件安装，因此在需要散热性能良好的PCB设计中也有广泛应用。