类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：15A
　　导通电阻(Rds(on))：最大为27毫欧（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPak）
　　功率耗散(Pd)：50W

2SK161-YTPE4 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件的沟槽式结构优化了载流子的分布，从而实现了更高的电流承载能力。此外，它还具备良好的热性能，能够有效地将热量从芯片传导到散热器，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
　　这款MOSFET具有快速开关能力，其开关时间短，减少了开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。栅极驱动电压兼容标准逻辑电平，通常在10V左右即可实现完全导通，适合与常见的PWM控制器搭配使用。
　　该器件还具备一定的过载和短路耐受能力，在适当的散热设计下，能够承受一定的瞬态电流冲击。其TO-252封装形式不仅便于安装和焊接，还能提供良好的电气绝缘和机械稳定性，适用于自动化生产线的SMT工艺。

2SK161-YTPE4 主要应用于各类电源管理系统中，例如AC-DC适配器、DC-DC转换器、同步整流器、电池充电器等。由于其高效率和低导通电阻，特别适合用于需要高电流输出的场合，如电动工具、工业电机控制、LED照明驱动电路等。
　　在消费电子产品中，这款MOSFET可用于开关电源、逆变器、电源管理模块等，以提高整体能效并减小电路尺寸。在汽车电子领域，2SK161-YTPE4 也可用于车载电源系统、车载充电器、电机控制等应用，满足汽车电子对可靠性和性能的高要求。
　　此外，该器件还可用于工业自动化控制系统、伺服电机驱动、电源分配系统等，提供稳定高效的功率开关功能。

2SK2646, 2SK3018, IRFZ44N, Si4410DY