BT8060KP 时间：2025/6/5 12:36:37 阅读：8

BT8060KP 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统效率并降低功耗。
　　BT8060KP 属于 N 沟道增强型 MOSFET，其优化设计使其非常适合需要高效能和小体积的应用场景。

参数

型号：BT8060KP
　　类型：N 沟道 MOSFET
　　Vds（漏源极电压）：60V
　　Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
　　Id（连续漏极电流）：125A
　　Qg（栅极电荷）：35nC
　　fT（特征频率）：2.7MHz
　　Vgs(th)（栅源开启电压）：2.2V~4.0V
　　封装形式：TO-247

特性

BT8060KP 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可减少导通损耗并提升效率。
　　2. 高额定电流能力 (Id)，适合大功率应用。
　　3. 快速开关性能，能够有效降低开关损耗。
　　4. 较高的雪崩能量耐受能力，提高了系统的可靠性。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
　　6. 稳定的工作温度范围 (-55°C 至 +150°C)，适应各种环境条件。
　　7. 先进的沟槽技术提升了单位面积内的电流承载能力。

应用

BT8060KP 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC 转换器中的功率级控制元件。
　　3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
　　4. 工业自动化设备中的负载切换。
　　5. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品。
　　6. 电动汽车及混合动力汽车中的电池管理系统 (BMS) 和电机控制器。