BT8060KP 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低功耗。
BT8060KP 属于 N 沟道增强型 MOSFET,其优化设计使其非常适合需要高效能和小体积的应用场景。
型号:BT8060KP
类型:N 沟道 MOSFET
Vds(漏源极电压):60V
Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
Id(连续漏极电流):125A
Qg(栅极电荷):35nC
fT(特征频率):2.7MHz
Vgs(th)(栅源开启电压):2.2V~4.0V
封装形式:TO-247
BT8060KP 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可减少导通损耗并提升效率。
2. 高额定电流能力 (Id),适合大功率应用。
3. 快速开关性能,能够有效降低开关损耗。
4. 较高的雪崩能量耐受能力,提高了系统的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
6. 稳定的工作温度范围 (-55°C 至 +150°C),适应各种环境条件。
7. 先进的沟槽技术提升了单位面积内的电流承载能力。
BT8060KP 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率级控制元件。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品。
6. 电动汽车及混合动力汽车中的电池管理系统 (BMS) 和电机控制器。
IRFB4110, FDP5500