类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：900 V
　　最大漏极电流（Id）：3.0 A
　　最大耗散功率（Pd）：50 W
　　阈值电压（Vgs(th)）：4.0 V ~ 5.0 V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30 V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值3.2 Ω（当Vgs = 10 V时）
　　输入电容（Ciss）：约 45 pF
　　输出电容（Coss）：约 18 pF
　　反向恢复时间（trr）：无（属于MOSFET，不涉及体二极管快速恢复特性）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

2SK1561具备多项关键特性，使其在高电压开关应用中表现卓越。首先，其高达900V的漏源击穿电压使得该器件非常适合用于离线式开关电源设计，尤其是在全球通用输入电压范围内（85VAC至265VAC）工作的电源产品中，可以有效应对高压瞬变和浪涌情况，提高了系统的安全性和稳定性。其次，该MOSFET的导通电阻相对较低，在Vgs=10V条件下典型值仅为3.2Ω，这有助于降低导通期间的能量损耗，从而提升电源的整体能效，并减少对散热系统的要求。此外，2SK1561采用了优化的芯片结构设计，显著降低了寄生电感和电容，从而改善了高频开关性能，减少了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），这对于高频化、小型化的电源设计至关重要。
　　该器件的栅极电荷量（Qg）较小，意味着驱动电路所需的驱动功率更低，能够与多种常见的PWM控制器良好匹配，简化了驱动电路的设计复杂度。同时，较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）也进一步提升了其在高频环境下的响应速度和效率。2SK1561还具备良好的热稳定性，能够在-55°C到+150°C的宽结温范围内稳定工作，适应严苛的工业环境。其TO-220封装不仅提供了良好的机械强度，还具备出色的热传导能力，可通过外接散热片将热量迅速导出，防止因过热导致器件失效。此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力，在异常工况下仍能保持一定的耐受性，增强了电源系统的鲁棒性。综合来看，2SK1561凭借其高耐压、低导通损耗、优异的开关特性和可靠的封装设计，成为中小功率开关电源中的理想选择。

2SK1561主要应用于各类中低功率开关模式电源系统中，尤其适合用于反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构的AC-DC转换器，常见于充电器、适配器、LED驱动电源以及家用电器内置电源模块。在这些应用中，2SK1561作为主开关元件承担能量传递的核心作用，其高耐压能力确保了在高压输入条件下的安全运行，而较低的导通电阻则有助于提高转换效率并降低温升。此外，该器件也被广泛用于DC-DC变换器中，特别是在升压（Boost）和半桥（Half-Bridge）电路中作为开关元件使用，适用于电信设备、网络设备和工业控制系统中的分布式供电架构。由于其良好的高频响应特性，2SK1561还可用于高频逆变器、电子镇流器以及小型不间断电源（UPS）等需要高效能和小体积设计的场合。在照明领域，尤其是大功率LED照明驱动方案中，2SK1561因其稳定的开关性能和较低的电磁噪声而受到青睐。同时，它也可用于电机控制中的低端开关应用，例如小型直流电机的速度调节电路。在工业自动化设备中，如PLC电源模块、传感器供电单元等，2SK1561凭借其可靠性和耐用性，能够在长时间连续运行条件下提供稳定的电力转换服务。总之，凡是需要在高电压环境下实现高效、稳定开关操作的应用场景，2SK1561都是一种非常合适的选择。

2SK1560, 2SK1562, STP9NK90ZFP, 2SK2545