类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：最大20V
　　栅源电压(VGS)：最大±12V
　　连续漏极电流(ID)：最大100mA（在25°C环境温度下）
　　漏极功耗(PD)：最大200mW
　　导通电阻(RDS(on))：典型值为1.8Ω（在VGS=4.5V时）
　　栅极电荷(Qg)：约2.5nC
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23（也有可能为SOT-323）
　　存储温度范围：-55°C至+150°C

2SK1533(-01MR)具有多项优异的电气与物理特性。首先，它具备较低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET具有快速开关特性，适合用于高频应用，从而减小外部滤波元件的尺寸和成本。其小型表面贴装封装不仅节省空间，而且便于自动化生产和焊接。
　　此外，2SK1533(-01MR)具有良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其栅极驱动电压范围较宽，支持从2.5V至10V的驱动电压，适用于多种控制电路设计，包括由微控制器直接驱动的应用。
　　该器件还具备良好的抗静电能力（ESD保护），增强了在复杂电磁环境下的稳定性。同时，其低漏电流特性在关断状态下可有效减少系统待机功耗。

2SK1533(-01MR)常用于低功率电源管理电路，如便携式电子设备中的负载开关、电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器、LED驱动电路、逻辑接口控制以及小型电机控制等场景。其快速响应特性也使其适用于高频开关应用，例如在电源适配器、电源分配系统和小型逆变器中作为主开关或同步整流器使用。
　　此外，该MOSFET也可用于各种嵌入式系统中的电源控制模块，如智能家居设备、工业自动化传感器、智能穿戴设备和小型无人机等。在这些应用中，2SK1533(-01MR)能够提供稳定、高效的开关控制，满足现代电子设备对低功耗、高性能和小型化的需求。

2SK1533(-01MR)的替代型号包括2SK1533(-01L)、2SK1533(-01W)、2SK1533(-01K)、2SK1533(-01P)等不同封装或参数配置的版本，以及2SK1533系列中其他厂家的兼容型号如UTC 2SK1533、STMicroelectronics的类似低电压MOSFET（如STD1NK50Z-1、STN3NK60ZM5等）也可作为替代选择。