2SK152 是一款由日本东芝公司(Toshiba)制造的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于中高功率的开关和放大电路中。该器件采用TO-92封装,适用于小型电源适配器、DC-DC转换器、电机控制和各种消费类电子产品中的功率控制应用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):900V
最大栅源电压(VGS):±30V
最大连续漏极电流(ID):5mA
功耗(PD):0.3W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-92
2SK152具有高耐压特性,其漏源击穿电压高达900V,使其能够在高压环境中稳定工作,适用于开关电源和高电压控制电路。该器件的栅极氧化层具有较强的耐压能力,栅源电压容限为±30V,提高了其在复杂电磁环境下的稳定性。
由于其TO-92封装体积小巧,便于在紧凑型电路设计中使用,同时具备良好的热稳定性和较低的漏电流,适合用于低功耗设计。其最大连续漏极电流为5mA,适用于小功率开关控制应用,如继电器驱动、LED控制和小型电机控制等。
此外,2SK152具有较高的输入阻抗,栅极驱动功率小,易于与CMOS或TTL电路接口连接,简化了驱动电路设计。同时,其在关断状态下的漏电流极低,有助于降低系统静态功耗,提高整体能效。
2SK152常用于低功率开关电路、电源管理模块、LED驱动电路、DC-DC转换器、家用电器控制电路、工业自动化设备中的继电器替代开关、测试仪器中的信号控制电路等。由于其高耐压特性,也适合用于高压电路中的隔离和控制应用。
2SK153, 2SK151, 2SK2465, 2SK2545