2SK1512是一款由东芝公司生产的N沟道功率MOSFET,适用于高频率开关和功率放大应用。该器件采用了先进的平面硅技术,具有低导通电阻和高开关速度的特性,使其成为高效能电源管理和功率转换应用的理想选择。
类型:N沟道
最大漏极电流:10A
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:10V
导通电阻:0.36Ω(最大值)
功率耗散:30W
工作温度范围:-55°C至150°C
2SK1512具备低导通电阻,这有助于降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。其高开关速度特性使其适用于高频开关应用,减少开关损耗并提高响应速度。此外,该器件具有良好的热稳定性和耐用性,能够在高负载条件下保持稳定运行。2SK1512采用TO-220封装形式,便于散热和安装,适用于各种功率电子设备。其栅极驱动电压范围较宽,可在不同电源条件下保持稳定工作。
该MOSFET的封装设计提供了良好的热管理和机械稳定性,使其能够在恶劣环境中可靠运行。它广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及电源管理系统中。
2SK1512常用于开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动电路、功率放大器以及各种工业控制设备。其高效率和高可靠性使其成为现代电子设备中的关键功率元件。
2SK1513, 2SK1511