2SK1507-01 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET,常用于电源管理和功率放大电路中。这款MOSFET具备高耐压和大电流承载能力,适合用于开关电源、DC-DC转换器和马达控制等应用。2SK1507-01采用了高密度单元设计,提供较低的导通电阻,有助于提高系统效率并减少热量产生。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流:100A
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(最大值,@Vgs=10V)
功率耗散:200W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-247
2SK1507-01的主要特性包括高电流容量和低导通电阻设计,使其在高功率应用中表现出色。由于其导通电阻低至3.5mΩ,这有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。
此外,该器件具有较高的热稳定性,能够在高温环境下可靠工作。2SK1507-01的栅极驱动电压范围较宽(最高可达20V),使其适用于多种驱动电路设计,同时具备良好的抗过载能力。
该MOSFET采用TO-247封装,具备良好的散热性能,适用于高功率密度设计。其封装结构也便于安装在散热器上,提高散热效率。
该器件还具备较高的dv/dt抗扰能力,能够减少因快速电压变化引起的误触发风险,提高系统的稳定性。2SK1507-01还具备快速开关特性,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和同步整流电路。
2SK1507-01广泛应用于各种电源管理系统,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池充电器和负载开关电路。其高电流能力和低导通电阻也使其适合用于马达控制和逆变器电路中。
在工业自动化设备中,2SK1507-01可用于驱动继电器、电磁阀和高功率LED照明系统。在汽车电子系统中,它可用于车载电源转换器和电池管理系统。
此外,该MOSFET还可用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)系统以及服务器电源模块等高可靠性应用中。
2SK1507-01的替代型号包括2SK1507-02、2SK1507-03、SiHF60N10、IRF1405