2SK1503是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件设计用于高频率开关应用,如DC-DC转换器、电源管理模块和开关电源等场合。它具有较高的漏极电流容量和良好的热稳定性,适用于要求高效能和紧凑设计的电子设备。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电压(VDSS):60V
最大栅极-源极电压(VGSS):±20V
最大漏极电流(ID):30A(在25°C)
最大耗散功率(PD):150W
工作温度范围:-55°C至150°C
导通电阻(RDS(on)):约45mΩ(典型值)
栅极电荷(Qg):27nC(典型值)
输入电容(Ciss):1000pF(典型值)
2SK1503具有低导通电阻,能够显著降低导通损耗,从而提高电源转换效率。其低导通电阻特性使其在高电流应用中表现尤为出色。
此外,该器件具备快速开关特性,适合用于高频开关电路,有助于减小外部元件的尺寸并提高系统整体效率。
2SK1503采用了TO-220封装,具有良好的散热性能,能够在较高功率条件下稳定工作。这种封装形式也便于安装在散热片上,以增强散热效果。
该MOSFET具有较高的热稳定性,能够在高温环境下保持良好的工作性能,并且具备一定的过载承受能力,适用于各种苛刻的工作条件。
此外,2SK1503的栅极驱动要求较低,可以与常见的PWM控制器或驱动IC兼容,简化了电路设计并降低了驱动损耗。
2SK1503广泛应用于各类电源系统中,如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统和电机控制电路等。由于其高电流能力和低导通电阻,特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换设备中。此外,它还可用于电源管理模块、开关电源(SMPS)、工业自动化设备和汽车电子系统中,作为主要的功率开关器件。在太阳能逆变器、UPS系统和通信电源等高要求的应用中,2SK1503也能提供稳定的性能和较长的使用寿命。
2SK2545, 2SK3078, IRFZ44N