型号：2SK1479
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：500 V
　　最大漏极电流（Id）：7 A（连续）
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：28 A
　　最大栅源电压（Vgs）：±30 V
　　阈值电压（Vth）：4.0 V（典型值）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.85 Ω（最大值，@ Vgs = 10 V）
　　输入电容（Ciss）：1100 pF（典型值，@ Vds = 25 V）
　　输出电容（Coss）：380 pF（典型值，@ Vds = 25 V）
　　反向恢复时间（trr）：无（MOSFET无体二极管快速恢复特性要求低）
　　功耗（Pd）：50 W（最大值）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

2SK1479具备多项关键特性，使其成为高性能开关电源设计中的理想选择。首先，其高达500V的漏源击穿电压使其能够安全应用于通用交流输入（85–265V AC）整流后的母线电压环境中，满足大多数离线式反激、正激或LLC谐振变换器的需求。其次，该器件的导通电阻在同类产品中处于合理水平，Rds(on)最大为0.85Ω，在Vgs=10V驱动条件下可有效降低导通期间的I2R损耗，从而提升整体电源效率。同时，该MOSFET优化了栅极电荷（Qg）与米勒电荷（Qgd），总栅极电荷典型值约为45nC，这有助于减少驱动电路的能量消耗并加快开关速度，尤其适合用于数百kHz频率范围内的高频操作。
　　另一个重要特性是其良好的热稳定性与鲁棒性。得益于TO-263封装的大面积铜引脚设计，2SK1479具备优异的散热能力，结到外壳的热阻（Rth(j-c)）仅为2.5°C/W，允许器件在较高负载下持续工作而不过热。此外，该器件内置的体二极管虽然不是主要功能元件，但在某些拓扑如同步整流或感性负载关断过程中仍能提供必要的续流路径，且具有一定的抗雪崩能力，增强了系统的可靠性。2SK1479还具备较强的抗噪声干扰能力，栅源电压容限达±30V，防止因驱动信号过冲或负压导致栅氧化层损坏。最后，该MOSFET符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。这些综合特性使得2SK1479不仅性能优越，而且在实际工程应用中表现出高度的稳定性和兼容性。

2SK1479广泛应用于多种中等功率级别的电力电子设备中，尤其是在需要高电压隔离和高效能量转换的场合。典型应用包括AC-DC开关模式电源（SMPS），例如台式机ATX电源、工业控制电源模块、LED驱动电源等，其中它常被用作主开关管或同步整流开关，承担能量传递的核心任务。在DC-DC转换器领域，该器件可用于升压（Boost）、降压（Buck）或半桥拓扑结构中，特别是在输入电压较高的系统中表现优异。通信电源系统也是其重要应用场景之一，因其具备高可靠性和长期稳定性，适合部署于基站供电单元或路由器电源模块中。
　　此外，2SK1479还可用于逆变器电路、电机驱动控制器以及不间断电源（UPS）系统中作为功率开关元件。在这些应用中，器件需频繁承受高电压应力和大电流冲击，因此其耐压能力和热管理性能至关重要。由于采用了表面贴装封装，2SK1479非常适合自动化生产线使用，有利于提高生产效率并降低制造成本。在一些消费类电器如空调、洗衣机的变频模块中，也可看到类似规格MOSFET的身影，尽管具体型号可能有所差异。总之，凡是涉及高压、中电流、高效率开关操作的场景，2SK1479都是一种可靠且成熟的选择。

2SK1478, 2SK1480, FQP50N50, STP7NK50ZFP