时间：2025/8/9 10:18:53
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2SK1984-01MR是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，适用于需要高效能和高可靠性的应用。这款MOSFET设计用于高频率开关操作，能够在较高的电压和电流条件下提供稳定的性能。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏极-源极电压（VDS）：60V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约6.5mΩ（典型值，@VGS=10V）
功率耗散（PD）：150W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
2SK1984-01MR具备低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高效率，使其非常适合用于电源管理和DC-DC转换器应用。
该器件的高电流承载能力和高电压耐受性，使其在高功率应用中表现出色。
此外，该MOSFET的封装设计有助于散热，确保在高负载条件下仍能保持稳定的工作温度。
其高可靠性与耐用性使得该器件能够在恶劣的环境条件下长期工作，适合工业和汽车应用。
2SK1984-01MR广泛应用于各种高功率电子设备，包括电源供应器、DC-DC转换器、电机控制电路、电池管理系统以及汽车电子系统等。
在这些应用中，该MOSFET能够提供高效的开关性能和稳定的电流控制，满足高要求的功率管理需求。
此外，该器件也常用于逆变器和功率放大器中，以实现高效的能量转换和信号放大。
2SK2142, 2SK2184, 2SK2192
