型号：2SK1473-TD
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60 V
　　最大漏极电流（Id）：5 A
　　导通电阻（Rds(on)）：55 mΩ（@ Vgs = 10 V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0 V ~ 3.0 V
　　最大功耗（Pd）：1.5 W
　　输入电容（Ciss）：450 pF（@ Vds = 25 V）
　　反向恢复时间（trr）：未内置续流二极管，需外接
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：S-Mini (USP6)
　　极性：N-Channel
　　开启延迟时间（td(on)）：10 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：25 ns
　　上升时间（tr）：15 ns
　　下降时间（tf）：10 ns

2SK1473-TD具备多项优异的电气与结构特性，使其成为中等功率开关应用中的理想选择。首先，其低导通电阻Rds(on)仅为55mΩ（在Vgs=10V条件下），显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源转换效率，尤其在大电流持续工作的场景下表现突出。这一特性使得该器件非常适合用于同步整流电路或负载开关中，能够有效减少发热并提升系统稳定性。其次，该MOSFET采用了东芝专有的沟槽结构设计，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积内的电流密度，同时增强了器件的耐压能力与长期可靠性。
　　另一个关键特性是其较小的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss约为450pF），这使得驱动电路所需的能量更低，有利于高频开关操作。在DC-DC变换器或PWM控制电路中，快速的开关响应可以减小死区时间，进一步提升能效。此外，该器件的开关时间参数表现出色：开启延迟时间约10ns，关断延迟时间为25ns，配合快速的上升和下降时间，确保了在高达数百kHz甚至更高频率下仍能保持高效运行。
　　从封装角度来看，2SK1473-TD采用S-Mini（即USP6）小型化表面贴装封装，尺寸紧凑，适合高密度PCB布局。尽管体积小，但其散热设计经过优化，可通过PCB铜箔进行有效散热，满足1.5W的最大功耗需求。该器件还具备良好的抗雪崩能力与过温保护特性，在异常工况下仍能维持一定安全裕度。最后，产品符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准，可用于汽车电子中的非主驱类电源管理模块，展现了其在严苛环境下的耐用性和一致性。

2SK1473-TD广泛应用于多种中低功率电源管理系统中，尤其适用于对空间和效率有较高要求的场合。典型应用包括但不限于：便携式电子设备中的DC-DC升压或降压转换器，如智能手机、平板电脑、移动电源等内部的电压调节模块；在此类应用中，其低Rds(on)和快速开关特性有助于延长电池续航时间并减少发热。
　　此外，它也常用于LED驱动电路，作为恒流源的开关元件，实现高效的亮度调节与节能控制。在工业控制领域，该MOSFET可用于继电器驱动、电机控制中的H桥低端开关或传感器供电开关，提供可靠的通断控制能力。
　　在消费类家电中，如智能音箱、路由器、小型适配器等产品的待机电源或辅助电源电路中，2SK1473-TD凭借其高集成度和低静态功耗优势，成为理想的开关元件。同时，由于其符合RoHS与无卤素标准，适用于出口型绿色电子产品认证要求。在汽车电子方面，可用于车载信息娱乐系统、车内照明控制、电动门窗驱动等低压电源管理单元，发挥其高可靠性和宽温工作的特点。总之，凡涉及60V以下电压、5A以内电流且追求高效率与小型化的开关电源设计，2SK1473-TD都是一个值得优先考虑的MOSFET选项。

TPSMB60A,TSM201AK