2SK1467-TD 时间：2025/9/20 22:19:10 阅读：4

2SK1467-TD是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高效率和高速开关性能的电子设备中。该器件采用先进的平面栅极工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和高耐压特性，能够有效降低功率损耗并提高系统整体效率。2SK1467-TD封装在小型化的表面贴装SOT-23F封装中，这种封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热性能和电气性能，适合高密度组装环境。该MOSFET设计用于在400V的漏源电压下工作，最大连续漏极电流可达150mA，适用于低功耗、小信号控制以及高压侧开关等应用场景。由于其优异的雪崩能量承受能力和出色的抗噪声干扰性能，2SK1467-TD在工业控制、消费类电子产品和便携式设备中得到了广泛应用。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造的需求。

参数

型号：2SK1467-TD
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：400V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：150mA @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：600mA
　　导通电阻(RDS(on))：典型值5.5Ω（当VGS=10V时）
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：约18pF @ VDS=25V, f=1MHz
　　输出电容(Coss)：约6.5pF @ VDS=25V, f=1MHz
　　反向传输电容(Crss)：约0.6pF @ VDS=25V, f=1MHz
　　最大功耗(PD)：200mW
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23F（小型表面贴装）

特性

2SK1467-TD具备多项关键特性，使其成为高压小电流开关应用中的理想选择。首先，其高达400V的漏源击穿电压确保了在高压环境下工作的可靠性，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，适用于如荧光灯驱动、小型逆变器或高边开关电路等场合。其次，该器件拥有较低的导通电阻，在VGS=10V时典型值仅为5.5Ω，这意味着在导通状态下产生的功率损耗较小，有助于提升系统的能效表现，并减少散热需求。
　　另一个显著特点是其快速的开关速度。得益于较小的栅极电荷（Qg）和低输入/输出电容，2SK1467-TD能够实现纳秒级的开关响应时间，从而有效降低开关过程中的动态损耗，特别适合高频PWM控制应用。同时，该MOSFET具有较高的输入阻抗，栅极驱动所需电流极小，可直接由微控制器或其他逻辑电路驱动，简化了驱动电路设计。
　　该器件采用SOT-23F封装，这是一种专为功率MOSFET优化的小型化表面贴装封装，具有良好的热传导性能，即使在有限的空间内也能有效散热。此外，SOT-23F封装与标准SMT工艺兼容，便于自动化生产和回流焊处理，提高了生产效率和产品一致性。
　　2SK1467-TD还具备优秀的抗雪崩能力，能够在非钳位感性关断条件下承受一定的能量冲击，增强了器件在实际应用中的鲁棒性。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其可在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子等领域。最后，该器件符合RoHS指令要求，不含铅和其他有害物质，支持绿色环保制造流程。

应用

2SK1467-TD主要应用于需要高压操作但电流负载较小的场景。常见用途包括开关电源中的启动电路或偏置电源控制，其中它作为高压侧开关用于控制辅助绕组的供电。此外，在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于同步整流或电平转换电路，以提高转换效率。
　　在照明领域，2SK1467-TD可用于LED驱动器或冷阴极荧光灯（CCFL）逆变器中，作为高频开关元件参与振荡电路或驱动电路的构建。由于其具备快速开关能力和高耐压特性，有助于实现高效、紧凑的照明电源设计。
　　该器件也常用于电池供电设备中的电压切换或电源管理模块，例如便携式仪器、手持终端或智能电表中，用于控制不同功能模块的供电通断，延长电池续航时间。
　　在工业控制系统中，2SK1467-TD可用于隔离驱动电路、继电器驱动或传感器接口电路中，提供可靠的信号切换功能。此外，由于其良好的抗噪声性能和稳定性，也可用于通信设备中的电源监控或保护电路。
　　总之，2SK1467-TD凭借其高耐压、小尺寸、低功耗和高可靠性，广泛服务于消费电子、工业自动化、通信设备及汽车电子等多个行业。