型号：2SK1467-TD-E
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：4.2A
　　脉冲漏极电流IDM：16.8A
　　导通电阻RDS(on)：25mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极阈值电压Vth：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容Ciss：600pF（典型值，VDS=15V）
　　输出电容Coss：190pF（典型值）
　　反向传输电容Crss：50pF（典型值）
　　总栅极电荷Qg：12nC（典型值，VDS=15V）
　　功耗PD：1.25W
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

2SK1467-TD-E具备多项优异的电气与物理特性，使其在同类小信号N沟道MOSFET中具有较强的竞争力。首先，其低导通电阻RDS(on)仅为25mΩ（在VGS=10V条件下），显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统效率，特别适用于大电流、低电压的应用环境。这一特性使得该器件在电池供电设备中表现尤为出色，能够延长电池使用寿命并减少发热问题。
　　其次，该MOSFET采用了优化的沟槽结构与硅栅工艺，有效降低了栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），从而实现了快速的开关响应能力。低Qg意味着驱动电路所需的能量更少，有利于简化驱动设计并降低驱动功耗；而低Crss则有助于抑制开关过程中的噪声干扰和串扰，提高系统稳定性。这对于高频开关电源和同步整流电路尤为重要。
　　此外，2SK1467-TD-E具有较宽的栅源电压容限（±20V），增强了器件在异常工况下的耐受能力，防止因过压导致的栅氧化层击穿。其栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V，属于逻辑电平兼容型MOSFET，可直接由3.3V或5V微控制器IO口驱动，无需额外的电平转换电路，极大简化了数字控制系统的集成难度。
　　该器件还具备优良的热性能，结温范围从-55°C到+150°C，适用于各种严苛的工作环境。其小型SOT-23封装不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴片生产，适合大规模量产。综合来看，2SK1467-TD-E在性能、尺寸与可靠性之间取得了良好平衡，是现代高效能、小型化电源设计的理想选择。

2SK1467-TD-E广泛应用于多种需要高效开关控制的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等，它常用于电池管理电路、负载开关或LDO旁路控制，利用其低导通电阻和小封装优势实现节能与紧凑布局。在DC-DC转换器中，特别是升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构中，该MOSFET可作为同步整流开关使用，显著提高转换效率，减少能量损耗。
　　在LED驱动电路中，2SK1467-TD-E可用于控制LED的开启与关闭，或参与PWM调光控制，凭借其快速开关能力和低驱动需求，能够实现精确的亮度调节。在电机驱动领域，尤其是微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，该器件可用于构建低功耗、高响应的驱动模块，适用于玩具、小型机器人或办公设备中的电机控制。
　　此外，该MOSFET也常见于各类电源管理系统中的热插拔控制、电源多路复用（Power MUX）以及过流保护电路中，通过微控制器信号控制其导通与关断，实现对电源路径的智能管理。在通信设备和工业传感器模块中，2SK1467-TD-E用于隔离不同功能单元的供电，以降低待机功耗，提升系统能效。由于其逻辑电平兼容性和高可靠性，该器件也被广泛用于嵌入式系统和物联网（IoT）设备中，作为各类执行器或外围模块的开关元件。

2SK1468-TD-E, 2SK2389, BSS138, 2N7002, IRLML6344