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2SK1467-TD-E 发布时间 时间:2025/9/20 13:41:16 查看 阅读:25

2SK1467-TD-E是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET晶体管,专为高频开关应用设计,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他需要高效能功率管理的电子设备中。该器件采用先进的沟槽式硅栅极工艺制造,确保了低导通电阻和快速开关特性,有助于提升系统整体效率并减少热损耗。其封装形式为小型表面贴装型(如SOT-23或类似小型化封装,具体需参考数据手册),适合高密度PCB布局,尤其适用于空间受限的便携式电子产品。2SK1467-TD-E在设计上优化了栅极电荷与导通电阻之间的平衡,能够在高频工作条件下实现较低的开关损耗和导通损耗,从而提高电源系统的能效。此外,该MOSFET具备良好的热稳定性与可靠性,可在较宽的温度范围内稳定工作,适用于工业控制、消费类电子及通信设备中的功率切换场景。

参数

型号:2SK1467-TD-E
  极性:N沟道
  漏源电压VDS:30V
  栅源电压VGS:±20V
  连续漏极电流ID:4.2A
  脉冲漏极电流IDM:16.8A
  导通电阻RDS(on):25mΩ(典型值,VGS=10V)
  栅极阈值电压Vth:1.0V ~ 2.5V
  输入电容Ciss:600pF(典型值,VDS=15V)
  输出电容Coss:190pF(典型值)
  反向传输电容Crss:50pF(典型值)
  总栅极电荷Qg:12nC(典型值,VDS=15V)
  功耗PD:1.25W
  工作结温范围Tj:-55°C ~ +150°C
  封装类型:SOT-23

特性

2SK1467-TD-E具备多项优异的电气与物理特性,使其在同类小信号N沟道MOSFET中具有较强的竞争力。首先,其低导通电阻RDS(on)仅为25mΩ(在VGS=10V条件下),显著降低了导通状态下的功率损耗,提升了系统效率,特别适用于大电流、低电压的应用环境。这一特性使得该器件在电池供电设备中表现尤为出色,能够延长电池使用寿命并减少发热问题。
  其次,该MOSFET采用了优化的沟槽结构与硅栅工艺,有效降低了栅极电荷(Qg)和米勒电容(Crss),从而实现了快速的开关响应能力。低Qg意味着驱动电路所需的能量更少,有利于简化驱动设计并降低驱动功耗;而低Crss则有助于抑制开关过程中的噪声干扰和串扰,提高系统稳定性。这对于高频开关电源和同步整流电路尤为重要。
  此外,2SK1467-TD-E具有较宽的栅源电压容限(±20V),增强了器件在异常工况下的耐受能力,防止因过压导致的栅氧化层击穿。其栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V,属于逻辑电平兼容型MOSFET,可直接由3.3V或5V微控制器IO口驱动,无需额外的电平转换电路,极大简化了数字控制系统的集成难度。
  该器件还具备优良的热性能,结温范围从-55°C到+150°C,适用于各种严苛的工作环境。其小型SOT-23封装不仅节省PCB空间,而且便于自动化贴片生产,适合大规模量产。综合来看,2SK1467-TD-E在性能、尺寸与可靠性之间取得了良好平衡,是现代高效能、小型化电源设计的理想选择。

应用

2SK1467-TD-E广泛应用于多种需要高效开关控制的电子系统中。在便携式消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等,它常用于电池管理电路、负载开关或LDO旁路控制,利用其低导通电阻和小封装优势实现节能与紧凑布局。在DC-DC转换器中,特别是升压(Boost)或降压(Buck)拓扑结构中,该MOSFET可作为同步整流开关使用,显著提高转换效率,减少能量损耗。
  在LED驱动电路中,2SK1467-TD-E可用于控制LED的开启与关闭,或参与PWM调光控制,凭借其快速开关能力和低驱动需求,能够实现精确的亮度调节。在电机驱动领域,尤其是微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中,该器件可用于构建低功耗、高响应的驱动模块,适用于玩具、小型机器人或办公设备中的电机控制。
  此外,该MOSFET也常见于各类电源管理系统中的热插拔控制、电源多路复用(Power MUX)以及过流保护电路中,通过微控制器信号控制其导通与关断,实现对电源路径的智能管理。在通信设备和工业传感器模块中,2SK1467-TD-E用于隔离不同功能单元的供电,以降低待机功耗,提升系统能效。由于其逻辑电平兼容性和高可靠性,该器件也被广泛用于嵌入式系统和物联网(IoT)设备中,作为各类执行器或外围模块的开关元件。

替代型号

2SK1468-TD-E, 2SK2389, BSS138, 2N7002, IRLML6344

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