型号：2SK1460LS
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：9.7A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：39A
　　导通电阻Rds(on)（典型值）：8.5mΩ @ Vgs=10V；11mΩ @ Vgs=4.5V
　　栅极阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：1070pF @ Vds=15V
　　输出电容（Coss）：340pF @ Vds=15V
　　反向恢复时间（trr）：18ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：S-Mini (TSON Advance)

2SK1460LS采用了东芝专有的沟槽结构和高密度单元设计，实现了极低的导通电阻Rds(on)，从而显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。该器件在Vgs=10V时的典型Rds(on)仅为8.5mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，使其非常适合大电流应用场景。同时，其在较低驱动电压（如4.5V）下也能保持较低的导通电阻（11mΩ），支持宽范围的逻辑电平驱动，兼容现代低电压控制IC。器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为13nC，这有助于减少开关过程中的驱动损耗，提升高频开关性能。
　　2SK1460LS的封装采用热性能优化的S-Mini（TSON Advance）结构，底部带有裸露焊盘，可有效将热量传导至PCB，实现良好的散热效果。这种小型化封装尺寸为2.9mm x 2.3mm，高度仅0.9mm，适用于空间受限的便携式设备。其出色的热阻特性（Rth(j-c)约为2.8°C/W）确保了在高负载条件下依然能够稳定运行。此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩能量能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中保护自身不受损坏。
　　该器件还具有较低的输出电容和输入电容，有利于减少开关节点的振铃现象，提高EMI性能。其快速的开关响应时间和短的反向恢复时间（trr=18ns）使得它在同步整流拓扑中表现出色，有效降低体二极管反向恢复带来的损耗。2SK1460LS经过严格的质量测试，符合AEC-Q101车规级可靠性标准的部分要求，可用于汽车电子辅助系统。内置的栅极保护二极管提供了对静电放电（ESD）的一定防护能力，提升了生产过程中的操作安全性。总体而言，2SK1460LS是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于追求小型化与高效率的设计需求。

2SK1460LS广泛应用于各类需要高效开关性能的小型化电源系统中。常见用途包括同步降压变换器（Buck Converter）中的下管或上管，尤其适用于多相VRM（电压调节模块）设计，为CPU、GPU或ASIC提供稳定的低压大电流供电。此外，该器件也常用于DC-DC转换器、POL（Point-of-Load）电源模块以及电池供电设备中的电源管理单元。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑的电源管理系统中，2SK1460LS被用作负载开关、电源路径控制开关或背光驱动电路中的开关元件。其低导通电阻和小封装特性有助于延长电池续航时间并节省PCB布局空间。
　　工业控制领域中，该MOSFET可用于电机驱动电路、继电器驱动、LED驱动电源以及传感器供电开关。在便携式医疗设备、无线通信模块和IoT终端设备中，2SK1460LS因其高效率和高集成度优势而备受青睐。
　　此外，该器件还可用于USB Type-C PD电源接口中的电源开关，支持高达3A以上的持续电流传输，并具备良好的热稳定性。在热插拔电路和冗余电源切换系统中，2SK1460LS也可作为理想的理想二极管替代方案，实现低损耗的电源隔离与切换功能。

TPSMB30A, SI4336DY, AOZ5236EQI