2SK1402A 时间：2025/5/21 12:06:09 阅读：2

2SK1402A是一种N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高频、高压和高功率场景。该器件采用TO-3P封装形式，广泛用于射频放大器、开关电源以及音频功率放大器等领域。
　　2SK1402A以其卓越的性能表现而著称，尤其在高频应用中具有较低的导通电阻和较高的增益特性，同时具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

型号：2SK1402A
　　类型：N沟道MOSFET
　　Vds（漏源电压）：500V
　　Rds(on)（导通电阻）：2.5Ω
　　Id（漏极电流）：6A
　　Ptot（总耗散功率）：130W
　　fT（截止频率）：8MHz
　　Vgs(th)（栅极开启电压）：3V
　　Tj（结温范围）：-55℃至+175℃

特性

2SK1402A拥有以下显著特点：
　　1. 高耐压能力：能够承受高达500V的漏源电压，适用于高压环境。
　　2. 低导通电阻：Rds(on)仅为2.5Ω，在导通状态下可减少功率损耗。
　　3. 高增益性能：其fT达到8MHz，非常适合高频应用。
　　4. 热稳定性强：工作结温范围宽广，从-55℃到+175℃，适应各种极端温度条件。
　　5. 高可靠性：经过严格的质量测试，确保长期稳定运行。

应用

2SK1402A适用于以下领域：
　　1. 射频功率放大器：由于其高频特性和高增益，是射频功率放大器的理想选择。
　　2. 开关电源：能够在开关电源电路中作为高效的开关元件使用。
　　3. 音频功率放大器：凭借其低失真和高线性度，可用于高品质音频放大器。
　　4. 工业控制：适合于需要高可靠性和高压操作的各种工业设备。
　　5. 能量转换系统：如逆变器、DC-DC转换器等场景。