时间：2025/8/9 11:40:36
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2SK1390-R 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。这款MOSFET以其高效率、低导通电阻和良好的热稳定性而著称，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大漏极电流（ID）：连续10A（@25℃）
漏源导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.32Ω（@VGS=10V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.5V ~ 4.0V
最大功耗（PD）：100W
封装形式：TO-220
2SK1390-R具备多项优良特性，适合多种高效率功率应用需求。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可以显著减少导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件的最大漏极电流可达10A，使其能够胜任中高功率负载应用。该MOSFET的栅极阈值电压范围为1.5V至4.0V，适用于多种控制电路的驱动条件，确保了良好的兼容性。
在热性能方面，2SK1390-R的最大功耗为100W，具备良好的散热能力，能够在较高的环境温度下稳定工作。其TO-220封装形式不仅便于安装和焊接，也提供了良好的机械稳定性和热传导性能。
该MOSFET的结构设计优化了开关性能，降低了开关过程中的能量损耗，减少了电磁干扰（EMI）问题。这使得2SK1390-R在高频开关应用中表现良好，例如DC-DC转换器和PWM控制电路。此外，其高耐压能力（60V VDS）确保了在多种电源应用中的可靠性和安全性。
2SK1390-R 主要用于各种电源管理和功率控制电路中。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及LED照明控制电路。在这些应用中，它能够提供高效的功率开关功能，减少能量损耗，提高系统的整体效率和稳定性。
此外，2SK1390-R也适用于工业自动化设备、消费类电子产品以及汽车电子系统中的功率管理模块。其良好的热性能和封装设计使其在紧凑型电路设计中表现出色，适用于对空间和散热有较高要求的应用场景。
2SK2545, 2SK1058, IRFZ44N, FQP10N60C
