制造商：Infineon Technologies (原 Cypress Semiconductor)
　　产品系列：QDR? II+ SRAM
　　存储容量：72 Mbit
　　组织结构：4M x 18
　　供电电压：1.7V ~ 1.9V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：165-ball BGA (15x22mm)
　　引脚数量：165
　　最大时钟频率：450 MHz
　　数据速率：900 Mbps (DDR)
　　I/O 类型：SSTL_18
　　访问时间：~1.1ns
　　读写端口数量：双端口（独立）
　　时钟模式：差分时钟输入 (K/K#)
　　刷新功能：无需刷新（SRAM 特性）
　　封装特性：无铅、符合 RoHS 标准

CY7C1565KV18-450BZI 具备多项先进特性，使其成为高性能通信系统中理想的高速缓存解决方案。首先，该器件采用 QDR? II+ 架构，结合了 DDR（双倍数据速率）技术和独立的读写端口设计，能够在每个时钟周期的上升沿和下降沿同时传输数据，从而实现高达 900 Mbps 的有效数据速率。这种架构特别适用于需要持续高带宽的应用场景，如路由器、交换机和基站中的数据包缓冲。
　　其次，该芯片支持 SSTL_18（Stub Series Terminated Logic）接口标准，提供优异的信号完整性，减少反射和串扰，确保在高频下稳定运行。差分时钟输入（K/K#）进一步提升了时序精度和抗干扰能力，使得系统可以在高速下保持同步可靠性。此外，器件内部集成终端电阻（On-Die Termination, ODT），减少了外部元件数量，简化了 PCB 设计并节省布线空间。
　　在功耗管理方面，CY7C1565KV18-450BZI 采用 1.8V 单电源供电，显著降低了动态功耗，同时支持部分掉电模式（Partial Power-down Mode）和深度掉电模式（Deep Power-down Mode），可在空闲或低负载状态下大幅降低能耗，延长系统整体能效寿命。
　　该器件还具备可编程的片选（Chip Enable）和输出使能（Output Enable）控制功能，允许多个 SRAM 芯片在同一总线上进行级联或分时操作，增强了系统扩展性和灵活性。所有输入/输出均支持 JESD8-18A 电压电平标准，兼容现代 FPGA 和 ASIC 接口。最后，其 165-ball BGA 封装具有良好的热性能和机械稳定性，适用于工业级和通信级工作环境，在 -40°C 至 +85°C 的宽温范围内可靠运行。

CY7C1565KV18-450BZI 主要应用于对带宽和延迟有极高要求的高性能通信和网络设备中。其典型应用场景包括核心路由器、多层交换机、无线基站（如 4G LTE 和 5G NR 基站）、光传输设备以及网络处理器中的高速缓存模块。在这些系统中，该芯片常被用作数据包缓冲区、队列管理存储器或临时帧存储单元，用于处理突发性的高流量数据流，确保数据转发的低延迟与高吞吐量。
　　此外，该器件也广泛用于测试与测量仪器、高性能计算平台以及数字视频处理系统等需要快速随机访问内存的场合。例如，在高端示波器或协议分析仪中，CY7C1565KV18-450BZI 可作为实时采样数据的暂存区，支持连续高速采集而不丢失关键信息。在广播级视频设备中，可用于帧缓冲和图像拼接处理，保证视频流的流畅性和同步性。
　　由于其双端口架构支持并发读写操作，因此非常适合用于实现 FIFO 缓冲、DMA 数据传输、多处理器共享内存等架构。在嵌入式系统中，当主处理器与协处理器或 DSP 需要共享大量中间计算结果时，该芯片可作为高效的共享内存桥梁，避免总线争用问题。
　　另外，该芯片也被用于军事和航空航天领域的雷达信号处理、电子战系统和卫星通信终端，因其具备高可靠性、宽温工作能力和抗辐射设计（在特定等级版本中）。总之，CY7C1565KV18-450BZI 凭借其高速、低延迟、低功耗和高稳定性，已成为现代高速数据路径系统中不可或缺的关键组件之一。

CY7C1565KV18-450BZC
　　CY7C1565KV18-450BGI
　　CY7C1565KV18-450BG1