类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：5A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.65Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

2SK1347的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。该器件的RDS(on)典型值为0.65Ω，能够在高电流条件下保持较低的温升。
　　此外，2SK1347具有较高的电流承载能力，额定漏极电流为5A，适用于中等功率的开关应用。它的漏极-源极击穿电压为60V，能够适应多种电压等级的电路设计。
　　该MOSFET支持±20V的栅极-源极电压，提供了较大的驱动灵活性，允许使用多种驱动电路进行控制。同时，2SK1347的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度和效率。
　　在封装方面，2SK1347采用TO-220封装，这种封装形式具有良好的散热性能，适合在较高功率环境下使用。TO-220封装也便于安装在散热片上，以进一步提升热管理能力。
　　2SK1347的工作温度范围为-55°C至150°C，表现出良好的热稳定性和可靠性，适用于各种工业和消费类电子产品。

2SK1347广泛应用于多个领域，特别是在需要高效能功率开关的场合。例如，在电源管理系统中，它可以用于DC-DC转换器、电池充电器和负载开关等电路，以实现高效的能量转换和管理。
　　在电机控制领域，2SK1347可用于驱动小型电机或步进电机，提供快速响应和精确控制。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其适合在需要频繁启停或高负载的应用中使用。
　　此外，2SK1347也可用于逆变器、UPS（不间断电源）和照明控制系统等应用，提供可靠的功率开关功能。由于其快速开关特性，2SK1347在高频开关电源中表现出色，能够有效减少开关损耗并提高整体效率。
　　在消费类电子产品中，如电源适配器、充电器和智能家电中，2SK1347也常被用作关键的功率开关元件，以实现节能和高性能的设计目标。

2SK2545, 2SK1171, IRFZ44N