时间：2025/9/7 6:49:34
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2SK1335TL-E 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET，适用于需要高效率和高可靠性的应用场合。该MOSFET设计用于高频开关操作，并具有低导通电阻和优异的热稳定性，能够提供高效能的功率管理解决方案。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500V
最大栅源电压（Vgs）：±30V
最大漏极电流（Id）：8A
导通电阻（Rds(on)）：0.85Ω
功率耗散（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
2SK1335TL-E 具有多个重要特性，使其在各种功率应用中表现出色。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）为0.85Ω，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，该器件的最大漏源电压为500V，支持在高压环境中稳定运行。
其次，2SK1335TL-E 采用了TO-220封装，这种封装形式提供了良好的散热性能，并且易于安装在散热片上，从而增强了器件在高功率操作下的热稳定性。其最大漏极电流为8A，适用于中高功率的负载控制。
该MOSFET的栅极驱动电压范围为±30V，确保了在各种驱动电路中的兼容性。同时，其额定功率耗散为50W，可以在较宽的工作条件下保持稳定运行。最后，2SK1335TL-E 的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于多种环境条件下的应用。
这款MOSFET广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、照明系统以及各种功率电子设备中。其高电压和高电流能力使其非常适合用于需要高效能功率管理的电路设计。此外，2SK1335TL-E 还可用于逆变器、充电器和电池管理系统等应用，提供可靠的开关性能。
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