时间：2025/8/5 18:43:03
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IXFK44N50S是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电压和高电流的应用场合。该器件采用了先进的平面技术，具有低导通电阻、高耐压能力和卓越的热稳定性。IXFK44N50S特别适用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统，如电源供应器、DC-DC转换器、电机控制和不间断电源（UPS）系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500V
最大漏极电流（Id）：44A
导通电阻（Rds(on)）：0.075Ω（最大）
栅极电压（Vgs）：±30V
最大功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXFK44N50S具备多项优异特性，首先是其高耐压能力，最大漏源电压可达到500V，使其适用于高电压环境下的应用。其次是其低导通电阻，最大Rds(on)为0.075Ω，有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有高电流承载能力，最大漏极电流可达44A，适合高功率应用。该器件还具备良好的热稳定性，最大功耗为200W，确保在高负载下仍能稳定运行。IXFK44N50S采用TO-247封装，提供良好的散热性能，并且易于安装和集成到各种电路设计中。
此外，该MOSFET的栅极电压范围为±30V，提供较高的驱动灵活性，并具备良好的抗过载和短路能力。其宽工作温度范围（-55°C至150°C）确保在各种恶劣环境下仍能稳定运行，适用于工业级和高可靠性应用。
IXFK44N50S常用于各种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及新能源系统（如太阳能逆变器和电动汽车充电器）。其高耐压、低导通电阻和高电流能力使其成为高效能功率转换应用的理想选择。
IXFH44N50S, IRF2807, FDPF44N50, FQA44N50
