2SK1299-92STL 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET,常用于高频率开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。该器件采用小型表面贴装封装,适合自动化贴片工艺,具备良好的热性能和电气性能。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):12A
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(ON)):最大20mΩ(当VGS=10V时)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:SOP(表面贴装)
2SK1299-92STL具有低导通电阻,这有助于减少导通损耗并提高效率。其封装设计提供了良好的散热性能,适用于高频率开关应用。此外,该MOSFET具备高耐压能力,可在高压环境下稳定工作。栅极驱动电压范围较宽,支持使用常见的10V或12V电源进行驱动。
该器件还具备快速开关特性,减少了开关过程中的能量损耗,从而提高了整体系统效率。在设计中使用该MOSFET可以减小电源模块的体积,同时保持高性能。其表面贴装封装形式也简化了PCB布局和制造过程,适合大规模自动化生产。
此外,2SK1299-92STL具有较高的可靠性和较长的使用寿命,能够在恶劣的工作环境中保持稳定性能。其热阻较低,有助于在高负载条件下保持良好的热稳定性,减少过热风险。
该MOSFET广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)、负载开关、电源管理模块以及各种需要高效功率控制的电子设备中。
Si9410BDY-T1-E3, IRF7413PBF, FDS6680, AO4406A