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2SK1168 发布时间 时间:2025/9/7 17:33:52 查看 阅读:35

2SK1168 是一款由东芝(Toshiba)公司推出的N沟道功率MOSFET晶体管,主要用于高频开关电源、DC-DC转换器以及马达控制等功率电子设备中。该晶体管采用高密度沟槽式结构设计,具有较低的导通电阻和优异的开关性能,能够在较高的频率下运行,从而提高系统的整体效率。2SK1168 的封装形式为TO-220,适合于多种工业和消费类应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):30A
  最大漏源电压(VDS):100V
  导通电阻(RDS(on)):40mΩ(典型值)
  栅极阈值电压(VGS(th)):2V~4V
  最大耗散功率(PD):75W
  工作温度范围:-55°C~150°C

特性

2SK1168 具有多个显著的技术特性,首先其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通状态下的功率损耗,提高系统的能源效率。其次,该MOSFET具备较高的开关速度,适用于高频开关应用,有助于减小电源模块的体积并提升系统响应速度。
  此外,2SK1168采用了先进的沟槽式工艺,提高了器件的热稳定性和可靠性,确保在高负载条件下也能稳定工作。其TO-220封装形式具有良好的散热性能,适用于需要高功率处理能力的应用场景。
  该器件还具有较强的抗浪涌电流能力,可以在短时间内承受超过额定值的电流冲击而不损坏。此外,2SK1168的栅极驱动电压范围较宽,通常可在4.5V至10V之间正常工作,兼容多种驱动电路设计。

应用

2SK1168 主要应用于各类功率电子设备中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)、电机驱动器以及各种工业控制电路。由于其优异的导通特性和高频响应能力,该器件在高效率电源转换系统中表现尤为出色。
  在汽车电子系统中,2SK1168可用于车载充电器、LED驱动器以及电能管理系统等。此外,它也适用于消费类电子产品,如笔记本电脑适配器、智能家电和UPS不间断电源等场景。
  该MOSFET还可作为功率开关用于太阳能逆变器和储能系统,提供稳定可靠的功率控制功能。

替代型号

2SK2545, 2SK2956, IRFZ44N, FDPF4N60

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