2SK1168 时间：2025/9/7 17:33:52 阅读：35

2SK1168 是一款由东芝（Toshiba）公司推出的N沟道功率MOSFET晶体管，主要用于高频开关电源、DC-DC转换器以及马达控制等功率电子设备中。该晶体管采用高密度沟槽式结构设计，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，能够在较高的频率下运行，从而提高系统的整体效率。2SK1168 的封装形式为TO-220，适合于多种工业和消费类应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　导通电阻（RDS(on)）：40mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V～4V
　　最大耗散功率（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C～150°C

特性

2SK1168 具有多个显著的技术特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统的能源效率。其次，该MOSFET具备较高的开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小电源模块的体积并提升系统响应速度。
　　此外，2SK1168采用了先进的沟槽式工艺，提高了器件的热稳定性和可靠性，确保在高负载条件下也能稳定工作。其TO-220封装形式具有良好的散热性能，适用于需要高功率处理能力的应用场景。
　　该器件还具有较强的抗浪涌电流能力，可以在短时间内承受超过额定值的电流冲击而不损坏。此外，2SK1168的栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至10V之间正常工作，兼容多种驱动电路设计。

应用

2SK1168 主要应用于各类功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及各种工业控制电路。由于其优异的导通特性和高频响应能力，该器件在高效率电源转换系统中表现尤为出色。
　　在汽车电子系统中，2SK1168可用于车载充电器、LED驱动器以及电能管理系统等。此外，它也适用于消费类电子产品，如笔记本电脑适配器、智能家电和UPS不间断电源等场景。
　　该MOSFET还可作为功率开关用于太阳能逆变器和储能系统，提供稳定可靠的功率控制功能。