型号：2SK1165
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大连续漏极电流（Id）：2.8A
　　最大脉冲漏极电流（Id_pulse）：5.6A
　　最大耗散功率（Pd）：1W
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ @ Vgs = 10V, Id = 2.8A
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

2SK1165具备多项优异的电气与物理特性，使其在低电压、中等电流的开关应用中表现出色。首先，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，这种结构显著降低了单位面积的导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。其典型的导通电阻仅为45mΩ，在Vgs为10V时即可实现完全导通，这使得它在电池供电设备中尤为适用，有助于延长电池续航时间。
　　其次，2SK1165具有较低的输入电容和栅极电荷（Qg），这意味着它在高频开关操作中所需的驱动能量较小，能够有效降低驱动电路的负担，并支持更高的开关频率运行。这一特性对于现代高频DC-DC转换器至关重要，因为它有助于减小外部电感和电容的尺寸，进而实现电源模块的小型化设计。
　　再者，该MOSFET的阈值电压范围为1.0V至2.5V，具备良好的逻辑电平兼容性，可以直接由3.3V或5V的微控制器GPIO引脚驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了成本。同时，其栅源间耐压可达±20V，提供了足够的安全裕度，防止因过压导致的器件损坏。
　　在可靠性方面，2SK1165可在-55°C到+150°C的结温范围内稳定工作，满足工业级应用对温度适应性的要求。此外，器件采用SOT-23小型表面贴装封装，不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导性能，便于通过PCB布局进行散热管理。综合来看，2SK1165是一款集低导通电阻、高速开关、逻辑兼容和高可靠性于一体的高性能N沟道MOSFET，适用于多种现代电子系统的电源管理需求。

2SK1165广泛应用于各类需要高效、紧凑电源开关解决方案的电子设备中。常见应用包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机中的负载开关与电源路径管理；在这些设备中，2SK1165用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能待机或动态电源分配。
　　此外，该器件也常用于DC-DC降压或升压转换器的同步整流部分，作为低侧开关使用，以替代传统的肖特基二极管，从而显著提升转换效率并减少发热。在电池充电与保护电路中，2SK1165可用于过放电保护、充放电通路控制等场景，确保电池系统的安全运行。
　　工业控制领域中，该MOSFET可用于小型继电器驱动、LED驱动电路或传感器电源开关，凭借其快速响应能力和低静态功耗，有助于构建高精度、低功耗的控制系统。另外，在嵌入式系统和物联网（IoT）设备中，2SK1165常被用作微控制器输出端的功率扩展开关，用于驱动电机、蜂鸣器或其他外围设备。
　　由于其表面贴装封装形式，2SK1165适用于自动化贴片生产工艺，适合大规模生产。总体而言，凡是涉及低压直流电源开关、需要高效率和小体积设计的场合，2SK1165都是一个理想的选择。

2SK1166, 2SK2387, Si2302DS, AO3400, FDN302P