时间：2025/12/23 16:06:12
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2SK1154是一种N沟道MOSFET晶体管，主要用于高频放大器和振荡器电路中。它属于 depletion-mode 类型，意味着即使在栅极电压为0时也处于导通状态。
这种晶体管因其高跨导、低噪声特性和良好的增益性能而被广泛应用于射频和音频领域。
类型：N沟道 MOSFET
工作频率：高达3GHz
Vds（漏源电压）：-25V
Vgs（栅源电压）：-20V
Ids（漏极电流）：-180mA
Ptot（总功耗）：350mW
Rds(on)（导通电阻）：60Ω
输入电容：7pF
跨导：6mS
2SK1154具有高跨导和低噪声系数，这使得它非常适合于需要高增益和低失真的应用环境。
其depletion模式设计让其在无外部栅极偏压的情况下也能保持导通，这对于某些特定的模拟电路非常有用。
此外，该晶体管还具备较高的工作频率，能够满足射频电路中的需求。
其封装形式通常为TO-39金属封装，有助于散热和提供良好的射频性能。
2SK1154主要应用于高频电子设备中，包括但不限于：
- 射频放大器
- 振荡器
- 音频前置放大器
- 低噪声放大器
- 小信号处理电路
- 无线通信设备
由于其高频特性和低噪声特性，它也被广泛用于业余无线电爱好者制作的各种射频模块中。
2SK1155, 2SK1156
