类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：150V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：20A
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.065Ω（最大值）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V

2SK1087MR具备多项优异的电气特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流工作条件下，器件的导通损耗显著降低，从而提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET的高耐压能力（Vds为150V）使其适用于中高压应用，如电源适配器、电机驱动和工业控制系统。
　　该器件的封装形式为TO-220，这种封装不仅具有良好的散热性能，还能提供较高的机械强度，适合在恶劣环境中使用。同时，2SK1087MR具有较高的栅极绝缘性能，能够承受±20V的栅源电压，提高了在高频开关应用中的稳定性和可靠性。
　　由于其高频响应能力，2SK1087MR广泛应用于高频DC-DC转换器和音频功率放大器中。在音频放大器中，它能够提供较高的输出功率和较低的失真率，从而提升音频系统的音质表现。此外，其较高的连续漏极电流能力（20A）也使其适合用于高功率LED驱动、电动工具和电源管理模块等应用。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的性能。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种极端温度条件下的电子设备。

2SK1087MR广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要高效率、高功率密度和高频开关性能的场合。例如，在开关电源（SMPS）中，它用于主开关晶体管，负责将输入的直流电压转换为高频脉冲信号，以提高能量转换效率。此外，在DC-DC转换器中，该MOSFET作为功率开关，用于调节输出电压并实现高效的能量传输。
　　在音频放大器中，2SK1087MR常用于功率放大级，提供高保真音频输出。其低导通电阻和高频响应特性有助于减少信号失真，提高音质。此外，该器件还用于电机驱动电路中，控制直流电机的速度和方向，广泛应用于电动工具、电动车和自动化设备中。
　　2SK1087MR也可用于LED照明驱动器，特别是高功率LED照明系统中，用于控制LED的电流和亮度。此外，该MOSFET还可应用于电池管理系统、逆变器、不间断电源（UPS）和工业控制设备中，作为关键的功率开关元件。

2SK1088MR, 2SK2141, IRFZ44N, IRF540N