类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大18mΩ（在Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOP（表面贴装）

2SK1086-01MR的主要特性包括其极低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够有效降低功率损耗并提高效率。此外，该MOSFET采用了先进的U-MOS技术，提供了卓越的开关性能和快速的响应时间，适用于高频开关电路。其SOP封装设计不仅节省空间，还便于自动化装配，提高了生产效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。
　　该器件的栅极驱动电压范围为±20V，允许使用标准的栅极驱动电路进行控制。同时，2SK1086-01MR具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗并提高整体系统的效率。其漏极电流额定值为10A，适合中高功率的应用场景。此外，该MOSFET的封装设计具有良好的散热性能，能够有效将热量散发到周围环境中，从而延长器件的使用寿命。

2SK1086-01MR广泛应用于各类电源管理电路中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路。在DC-DC转换器中，该MOSFET作为主开关器件，能够实现高效的能量转换。在同步整流器中，2SK1086-01MR用于替代传统的二极管整流器，从而降低导通损耗并提高系统效率。在负载开关应用中，该器件用于控制负载的通断，具有快速响应和低功耗的优点。此外，该MOSFET还可用于电池管理系统、逆变器和工业自动化设备中的电机控制电路，提供可靠的开关性能。

Si4410BDY, IRF7413, FDS4410A