2SK1084是一款由东芝(Toshiba)公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高效率功率控制的电子设备中。该器件采用先进的平面硅栅极工艺制造,具备低导通电阻和高可靠性特点,适合在高频率开关环境下稳定工作。2SK1084通常封装于小型化的表面贴装SOT-23或类似封装中,便于在紧凑型电路板上布局,适用于便携式电子设备和空间受限的应用场景。该MOSFET设计用于处理中等功率水平,具有良好的热稳定性与抗雪崩能力,在过压和瞬态条件下表现出较强的鲁棒性。由于其优异的电气性能和稳定的制造工艺,2SK1084被广泛用于消费类电子产品、工业控制模块以及通信设备中的电源管理部分。此外,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色电子制造的要求。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):30V
漏极电流(Id):4.1A
导通电阻(Rds(on)):22mΩ @ Vgs=10V, Id=2A
阈值电压(Vgs(th)):1.0V ~ 2.5V
栅极电荷(Qg):12nC @ Vds=15V
输入电容(Ciss):450pF @ Vds=15V
功率耗散(Pd):1W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:SOT-23
2SK1084具备出色的导通性能和开关响应速度,其低导通电阻特性显著降低了在导通状态下的功率损耗,从而提高了整体系统效率。这使得它特别适用于电池供电设备和对能效要求较高的应用场合。该器件的栅极结构经过优化设计,能够在较低的驱动电压下实现完全导通,兼容3.3V或5V逻辑电平控制信号,简化了与微控制器或其他数字控制电路的接口设计。此外,2SK1084具有良好的热稳定性,其正温度系数有助于在并联使用时实现电流均衡,避免热点形成,提升系统的长期运行可靠性。
该MOSFET还具备较强的抗静电能力(ESD保护),并在制造过程中严格控制参数一致性,确保批次间的稳定性和可替换性。其快速的开关特性减少了开关过渡时间,降低了开关损耗,有利于提高开关电源的工作频率,进而减小外围滤波元件的尺寸,实现更紧凑的电源设计。器件的封装形式具有优良的散热性能,能够有效将结温传导至PCB,延长使用寿命。同时,2SK1084通过了多项工业级可靠性测试,包括高温反向偏压测试(HTRB)、高温栅极偏压测试(HTGB)等,确保在严苛环境下的长期稳定性。这些综合特性使其成为中小功率电源转换应用中的理想选择。
2SK1084广泛应用于各类电源管理系统中,如便携式电子设备的DC-DC升压或降压转换器、LED驱动电路、电池充电管理模块以及负载开关控制电路。在移动设备中,常用于背光驱动或电源路径管理,实现高效能量利用。此外,该器件也适用于工业传感器、智能仪表和小型电机驱动电路中的功率开关功能。由于其小型化封装和高性能表现,2SK1084在空间受限但对效率要求较高的嵌入式系统中具有明显优势。在通信设备中,可用于隔离电源域或作为热插拔控制开关,防止电流浪涌对系统造成损害。同时,因其良好的瞬态响应能力,也可用于高频脉宽调制(PWM)控制应用中,如精密电源调节和动态负载调整。总之,凡是需要高效、小型化、可靠功率开关的场景,2SK1084都能提供有效的解决方案。
2SK3018,DMG2305U,MCH3311,SI2302DS,FDG330N