2SJ6916 时间：2025/8/25 2:45:50 阅读：3

2SJ6916是一种P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率开关和高电流控制应用。该器件由东芝（Toshiba）公司制造，具备较高的可靠性和良好的导通特性。2SJ6916封装形式通常为SMP（表面贴装功率封装），适用于需要紧凑设计和高效能的电子设备。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-60A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为8.5mΩ（在VGS=-10V时）
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SMP（表面贴装）

特性

2SJ6916具有低导通电阻（RDS(on)）的特点，使其在高电流应用中具备较低的功率损耗，提高系统的整体效率。
　　此外，该器件具备良好的热稳定性和过载能力，适合在高温环境下运行，确保系统的长期可靠性。
　　2SJ6916的栅极驱动电压范围较宽，支持-10V至+10V之间的控制电压，增强了其在不同应用中的适应性。
　　该MOSFET的封装设计优化了散热性能，有助于快速将热量传导至PCB，从而提升功率处理能力。
　　其快速开关特性减少了开关损耗，适合用于高频开关电源、DC-DC转换器等对效率要求较高的电路设计中。

应用

2SJ6916广泛应用于各种功率电子设备中，如电源管理系统、电机驱动器、电池充电器和DC-DC转换器等。
　　由于其高电流能力和低导通电阻，该器件也常用于汽车电子系统中的高功率控制模块，例如车载逆变器、电动助力转向系统等。
　　此外，2SJ6916还适用于工业自动化设备中的功率开关控制，如伺服驱动器、UPS不间断电源系统以及高功率LED照明驱动电路。
　　在消费类电子产品中，该MOSFET可用于高效率电源适配器和智能电源插座等应用。
　　对于需要高可靠性和高稳定性的工业控制和通信设备，2SJ6916同样是一个理想的选择。