时间：2025/6/20 23:35:49
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MMDF3N02HDR2G是一款由Microchip公司生产的MOSFET功率器件。该器件采用了先进的制程技术，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点。它适用于各种需要高效功率转换的应用场景，例如电源适配器、DC-DC转换器以及电机驱动等。此型号为N沟道增强型MOSFET，其封装形式为D2PAK-7L（TO-263），并针对工业和汽车级应用进行了优化设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：94A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷（典型值）：98nC
总电容（输入电容）：1450pF
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：D2PAK-7L（TO-263）
MMDF3N02HDR2G采用最新的硅工艺制造，具备非常低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高整体效率。同时，它的栅极电荷较低，可实现快速开关，从而降低开关损耗。
该器件还具有良好的热稳定性和鲁棒性，在高温环境下也能保持稳定的性能。此外，由于其额定电流高达94A，非常适合大功率应用场景。
D2PAK-7L封装提供了较大的散热面积，能够有效降低结温，提升可靠性。并且，该产品符合AEC-Q101标准，确保在严苛环境下的长期使用。
这款MOSFET广泛应用于多种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
- 开关模式电源（SMPS）
- DC-DC转换器
- 电动车辆（EV/HEV）中的逆变器
- 工业电机驱动
- 太阳能微逆变器
- LED驱动器
- 各类电池管理系统（BMS）
其高电流承载能力和低损耗特性，使其成为这些应用的理想选择。
MMDF3N02HTR2G, IRFB4110PbF, FDPF3N02EH
