2SJ584 LS 时间：2025/12/28 13:09:18 阅读：9

2SJ584 LS 是一款由东芝（Toshiba）生产的P沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率放大电路中。该器件采用高密度工艺设计，具有较高的功率处理能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、逆变器和电机控制等应用。LS后缀通常表示该型号采用的是表面贴装封装，适合自动化装配流程。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-3A（在25°C）
　　功耗（PD）：1.25W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOT-223
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.75Ω（典型值，具体取决于VGS）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1V 至 -2.5V

特性

2SJ584 LS 具有低导通电阻的特性，这有助于降低功率损耗并提高效率。其SOT-223封装形式提供了良好的热性能，适合在紧凑型电路设计中使用。该器件具备快速开关能力，适用于高频操作，从而减少了开关损耗并提高了系统的响应速度。
　　此外，2SJ584 LS 的栅极绝缘层能够承受高达±20V的电压，这使得它在驱动电路中更加可靠。器件的P沟道结构允许其在低电压应用中用作高边开关，特别适合于电池供电设备和便携式电子产品的设计。
　　该MOSFET在设计上具备较高的稳定性和耐用性，能够在各种环境条件下保持一致的性能表现。其封装材料符合RoHS环保标准，确保了产品的环保性和广泛的适用性。

应用

2SJ584 LS 主要用于需要高效功率控制的场合，例如DC-DC转换器、电源管理模块、电机驱动电路、LED照明系统以及各种类型的负载开关应用。由于其高可靠性和紧凑封装，它也常用于笔记本电脑、智能手机、平板电脑等便携式设备的电源管理电路中。
　　此外，该器件还适用于工业自动化设备、测试测量仪器、通信设备以及汽车电子系统中的功率控制模块。在消费类电子产品中，2SJ584 LS 常用于电源适配器、电池充电器和小型逆变器等应用。