型号：2SJ522
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（Vds）：-60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-3.0A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-12A
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（@Vgs=-10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：55mΩ（@Vgs=-4.5V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：710pF（@Vds=-25V）
　　输出电容（Coss）：240pF（@Vds=-25V）
　　反向传输电容（Crss）：40pF（@Vds=-25V）
　　栅极电荷（Qg）：13nC（@Vgs=-10V）
　　功耗（Pd）：1.25W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOT-23

2SJ522具备出色的电气特性和稳定性，其P沟道结构使其在电源开关应用中无需额外的驱动电路即可实现高效的控制。该器件在Vgs=-10V时的导通电阻仅为45mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效，尤其适用于对功耗敏感的便携式设备。在Vgs=-4.5V条件下，Rds(on)也仅为55mΩ，说明其在低电压逻辑电平下仍能保持良好的导通性能，兼容3.3V或5V控制系统。该MOSFET的阈值电压范围为-1.0V至-2.5V，确保了器件在不同工作条件下的可靠触发，避免误开启或关断。其输入、输出和反向传输电容数值较低，有助于减少开关过程中的延迟和能量损耗，提升高频开关应用中的响应速度。
　　2SJ522采用SOT-23小型表面贴装封装，体积小巧，便于自动化贴片生产，适用于高密度PCB布局。该封装具有良好的散热性能，配合适当的PCB铜箔设计可有效传导热量，延长器件寿命。器件的工作结温范围为-55℃至+150℃，表明其可在极端温度环境下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子及户外设备等严苛应用场景。同时，该MOSFET具备较强的抗静电能力，内置一定程度的ESD保护机制，增强了在实际操作和焊接过程中的可靠性。此外，其最大漏源电压为-60V，能够满足多数中低压直流系统的开关需求，如电池管理系统、LED驱动电路和电机控制模块。综合来看，2SJ522以其低导通电阻、小封装、高可靠性及宽工作温度范围，成为现代电子系统中理想的P沟道功率开关器件。

2SJ522广泛应用于各类低功率开关电路中，典型用途包括DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，用于提高转换效率并简化电路设计。在电池供电设备如智能手机、平板电脑、便携式医疗仪器中，该器件常被用作电源路径管理或负载开关，实现系统的快速启停和节能控制。此外，2SJ522适用于各类电源管理单元（PMU），在多路电源切换和反向电流阻断方面表现优异。在电机驱动电路中，它可用于H桥结构中的上桥臂开关，配合N沟道MOSFET实现正反转控制。工业控制领域中，该器件可用于继电器驱动、电磁阀控制和传感器供电开关，提供可靠的电平切换能力。在LED照明系统中，2SJ522可作为恒流源的开关元件，实现调光或分组控制。由于其SOT-23封装体积小，也常用于空间受限的消费类电子产品，如无线耳机充电盒、智能手表和物联网终端设备。此外，该器件还可用于过压或过流保护电路中，作为快速响应的切断开关，保障后级电路安全。得益于其良好的温度适应性和长期稳定性，2SJ522同样适用于汽车电子中的辅助电源模块或车载信息娱乐系统的电源控制部分。

SI2301DS
　　FDG330N_PBF
　　DMG2301U