2SJ518 时间：2025/9/7 18:44:47 阅读：32

2SJ518是一种P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于开关电路和放大电路中。该器件具有较低的导通电阻、良好的热稳定性和较高的可靠性，适用于各种电子设备，如电源管理、电机控制和音频放大器等。作为一款经典的分立半导体器件，2SJ518以其稳定性能和广泛应用而受到工程师的青睐。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：-60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：-500mA（连续）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-92
　　导通电阻（Rds(on)）：约1Ω（典型值）
　　阈值电压（Vgs(th)）：-1V至-3V
　　功耗（Pd）：300mW
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：-60V

特性

2SJ518的主要特性包括其P沟道结构，使其在低电压应用中表现出色。该器件的低导通电阻可以减少功率损耗，提高效率，同时其较小的封装形式（TO-92）有助于节省电路板空间，适合紧凑型设计。此外，2SJ518具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在较高温度环境下稳定工作。其栅极绝缘层提供了高输入阻抗，降低了控制电路的负担，同时具备较快的开关速度，适用于中低频功率开关应用。由于其结构简单、可靠性高，2SJ518在模拟和数字电路中均有广泛应用。

应用

2SJ518常用于各种电子电路中，如电源开关、马达驱动、音频放大器、逆变器和稳压电路等。在电源管理系统中，它可用于控制电池供电设备的开关操作；在音频放大器中，2SJ518可用于输出级的功率放大；在工业控制系统中，它可用于继电器驱动和直流电机控制。此外，该器件也广泛应用于家用电器、汽车电子和便携式设备中。