时间：2025/7/9 11:53:24
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QMK212SD391KD-T 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，能够满足各种高效率、高可靠性的应用需求。
QMK212SD391KD-T 的封装形式为 TO-263，具备良好的散热性能和电气特性，适用于大电流和高频工作环境。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：75A
导通电阻（Rds(on)）：2.8mΩ
栅极电荷（Qg）：65nC
开关时间：ton=14ns, toff=38ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
QMK212SD391KD-T 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可有效降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场景。
3. 优化的栅极电荷设计，减少了驱动功耗。
4. 大电流承载能力，能够支持高达 75A 的连续漏极电流。
5. 宽泛的工作温度范围，适应极端环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
这些特性使得 QMK212SD391KD-T 在各种电力电子设备中表现出色，包括但不限于服务器电源、电动工具、汽车电子以及工业自动化控制等领域。
QMK212SD391KD-T 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动控制器
4. 电池管理系统（BMS）
5. 汽车电子中的负载切换
6. 工业逆变器及 UPS 系统
由于其卓越的电气性能和可靠性，这款 MOSFET 成为许多工程师在设计高效能电力转换和控制电路时的首选元件。
IRFZ44N
STP75NF06L
FDP5500
AO3400
