时间:2025/12/28 17:02:25
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2SJ486ZU 是一款由东芝(Toshiba)生产的P沟道功率MOSFET晶体管,主要用于需要高效率和高可靠性的电源管理应用。这款MOSFET的封装形式为SOT-223,适用于表面贴装技术(SMT),适合于紧凑型电子设备的设计。2SJ486ZU具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性,使其成为DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的理想选择。
类型:P沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):100mA(连续)
导通电阻(Rds(on)):约1.8Ω(在Vgs = -10V)
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:SOT-223
2SJ486ZU具有多项优异特性,包括低导通电阻(Rds(on)),这使其能够在高电流应用中减少功率损耗并提高效率。该器件的高耐压能力确保了其在高压环境下的可靠运行,而宽广的工作温度范围则使其适用于各种恶劣环境条件。
此外,2SJ486ZU采用SOT-223封装,体积小巧,便于集成到紧凑型电路板设计中。该封装还提供了良好的散热性能,有助于维持器件在高负载下的稳定工作。
此MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,允许设计者在不同的应用中灵活选择驱动电路,同时具备良好的抗干扰能力,避免因噪声或瞬态电压引起的误动作。
2SJ486ZU的制造工艺采用了先进的沟槽技术,提高了器件的开关速度和热稳定性,减少了开关损耗,并增强了器件的长期可靠性。
2SJ486ZU广泛应用于多个领域,包括电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备以及各种需要低电压控制的功率开关电路。其低导通电阻和高效率特性使其特别适合用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。
在电源管理应用中,2SJ486ZU可用于负载开关控制,实现对系统中不同模块的高效供电管理,从而延长电池寿命并减少待机功耗。
在DC-DC转换器设计中,该MOSFET可作为同步整流器或主开关器件,提高转换效率并减少发热。此外,它还可用于马达驱动电路、LED照明驱动器和小型电源适配器等应用中。
由于其优异的热稳定性和可靠性,2SJ486ZU也常用于汽车电子系统、工业控制设备以及通信设备中。
2SJ486, 2SJ487, 2SJ489, 2SJ598