时间：2025/8/2 7:09:31
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2SJ484 是一款由东芝（Toshiba）制造的P沟道场效应晶体管（MOSFET），常用于功率放大器、电源管理和开关电路等应用。该器件采用高密度工艺制造，具有良好的导通特性和热稳定性，适合中高功率的电子设备设计。2SJ484 通常采用TO-220或类似的大功率封装形式，使其能够有效地散热，保证器件在较高电流和电压下稳定运行。
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：50V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：30A
最大功率耗散（Pd）：150W
导通电阻（Rds(on)）：约0.035Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
2SJ484 MOSFET具有多项优异的电气和热性能特性。首先，它的导通电阻非常低，约为0.035Ω，这意味着在高电流条件下，功耗和发热都会显著降低，从而提高整体效率。其次，该器件的最大漏源电压为50V，最大连续漏极电流可达30A，使其适用于多种中高功率应用。此外，2SJ484采用TO-220封装，这种封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在标准的散热片上，进一步增强了器件的热管理能力。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可在标准逻辑电压（如5V或12V）下工作，便于与各种控制电路兼容。同时，2SJ484具备较高的开关速度，适用于高频开关电路，有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。其热稳定性良好，在高温环境下仍能保持稳定的性能，从而提高设备的可靠性。
此外，2SJ484在设计上采用了高密度工艺和先进的芯片结构，使其在保持小型化的同时，具备出色的电流承载能力和耐压能力。这使得它在电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及音频功率放大器等应用中表现出色。
2SJ484 广泛应用于多种电子设备和系统中。其最常见的应用之一是作为功率开关用于电源管理系统，例如DC-DC转换器、电池管理系统和稳压电源。由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件可以有效地降低能量损耗，提高电源转换效率。
在音频设备中，2SJ484 常用于功率放大器电路，尤其是在高保真音频放大器中。其低失真和高热稳定性的特点使其非常适合用于音频信号的放大，从而提供更清晰、更高质量的声音输出。
此外，该MOSFET也常用于电机控制和负载开关应用，如直流电机驱动器、继电器替代方案和智能电源管理模块。在这些应用中，2SJ484 能够快速响应控制信号，实现高效的开关操作，并提供良好的过热和过载保护能力。
由于其优异的电气特性和热性能，2SJ484 还广泛用于工业自动化设备、汽车电子系统以及便携式大功率电子设备中。
2SJ485, 2SJ486, IRF9540, FQP47P06
