时间：2025/8/9 18:16:58
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2SJ476-01S 是一款P沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理、功率开关和高效率DC-DC转换器等应用。该器件采用小型表面贴装封装，适合高密度电路设计，并具备良好的热稳定性和耐久性。该MOSFET具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，适合用于各种中高功率应用。
类型：P沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：-60V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：-5A（@25°C）
导通电阻(Rds(on))：约0.9Ω（@Vgs=-10V）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOT-23-6
2SJ476-01S 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得它在导通状态下能够有效降低功率损耗，提高系统效率。同时，其P沟道结构适用于高端开关应用，能够直接控制高电压侧的负载。该MOSFET具备良好的热性能，能够在高温环境下稳定运行，并且具备较强的抗过载能力。
此外，该器件的封装形式为SOT-23-6，这是一种小型表面贴装封装，适用于高密度PCB布局，且具备良好的散热性能。这种封装形式也便于自动化生产和焊接，提高了整体的生产效率和可靠性。
2SJ476-01S 还具有快速开关特性，能够有效降低开关损耗，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、负载开关和马达控制电路。此外，其较高的栅极阈值电压稳定性使其在复杂电磁环境中仍能保持良好的控制性能，提高了系统的稳定性。
2SJ476-01S 广泛应用于各类电子设备中，尤其是在需要高效功率控制的场合。常见的应用包括DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动电路、LED驱动器以及各类电源管理系统。由于其小型封装和高可靠性，该MOSFET也常用于便携式电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源管理模块。
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"2SJ476",
"2SJ476-01L",
"Si4435DY",
"IRML2803"
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