2SJ474-01 时间：2025/8/8 19:34:01 阅读：43

2SJ474-01是一种P沟道场效应晶体管（P-Channel MOSFET），广泛用于功率放大器、电源开关以及各类模拟电路中。这款MOSFET具有较高的耐压能力和较大的电流承载能力，适用于需要高效能和稳定性的电路设计。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：-30V
　　最大漏极电流（ID）：-5A
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.65Ω（典型值）
　　栅极电压范围：±20V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-92

特性

2SJ474-01的主要特性包括其优异的开关性能和较低的导通电阻，这使得器件在高负载条件下能够保持较低的功耗。其P沟道结构使其在负电压应用中具有良好的稳定性，适用于多种电源管理和信号放大电路。
　　该MOSFET具有较高的输入阻抗，使得其在高频应用中表现出色。此外，2SJ474-01的热稳定性较好，能够在较高的环境温度下正常工作，适合用于工业级设备和高可靠性系统。
　　由于其TO-92封装形式，2SJ474-01在电路板上的安装非常简便，且占用空间较小，适合于紧凑型电子设备的设计。

应用

2SJ474-01广泛应用于各种电子设备中，包括电源开关控制、音频放大器、DC-DC转换器、电机驱动电路以及电池供电设备。其优异的开关特性和较低的导通电阻使其成为功率放大器设计中的理想选择。
　　在音频放大器中，2SJ474-01能够提供较高的输出功率和较低的失真，适用于音响系统和音频处理设备。在电源开关应用中，该器件能够高效地控制大电流负载，如LED驱动、继电器控制等。
　　此外，2SJ474-01还适用于各种工业自动化控制系统，如传感器接口、电机驱动器和继电器控制模块，能够提供稳定的性能和较长的使用寿命。