时间：2025/8/9 18:05:33
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2SJ473-01L 是一款由东芝（Toshiba）制造的P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效率和低导通电阻的电源管理应用。该器件采用小型SOT-23封装，适用于便携式电子设备和高频开关电路。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：-30V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：-100mA
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（最大）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-23
2SJ473-01L具备低导通电阻特性，这使其在低电压和小电流应用中表现出色，有助于减少功率损耗并提高整体效率。
此外，该MOSFET具有快速开关能力，适合用于高频操作，从而减少了外部滤波元件的尺寸和成本。
其SOT-23封装形式提供了紧凑的安装解决方案，非常适合空间受限的设计，例如便携式电子产品和小型电源模块。
该器件还具有良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在各种环境条件下稳定运行。
由于其低栅极电荷和优异的跨导特性，2SJ473-01L在驱动电路中也能实现快速响应和精确控制。
2SJ473-01L MOSFET广泛应用于各种电子设备中，如电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关和信号切换电路。
它也可用于电源管理系统中的低边或高边开关，以及用于保护电路中的反向电流阻断功能。
在消费类电子产品中，该器件常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式设备的电源管理部分。
此外，该MOSFET还可用于驱动小型继电器、LED背光系统以及低功率电机控制电路。
在工业自动化和传感器系统中，它也常被用作小型控制开关，实现对低电压电路的高效控制。
2SJ473-01L的替代型号包括2SJ473、2SJ473-O1L、2SJ473-H1L，这些型号在参数上略有不同，需根据具体应用场景选择合适的替代品。
